Samsung и SK hynix модернизируют предприятия по выпуску NAND-памяти в Китае. Компании стремятся приблизить местные производственные линии к более современным технологическим процессам и усилить конкуренцию с китайским производителем YMTC. Об этом 21 октября 2026 года сообщило агентство Reuters со ссылкой на источники, знакомые с планами компаний. Обе корпорации подтвердили, что модернизация уже идёт и проводится в координации с властями США.
Samsung планирует перевести завод в Сиане на выпуск 286-слойной NAND-памяти V9. По данным источников Reuters, проект предусматривает достижение производительности в 5000 кремниевых пластин в месяц к декабрю 2026 года. К декабрю 2027 года показатель должен вырасти до 40 000 пластин в месяц. Samsung заявила, что модернизация направлена на удовлетворение растущего спроса со стороны клиентов, включая американских заказчиков. Компания также подчеркнула, что проект не предполагает расширения производственных мощностей или строительства новых предприятий.
SK hynix намерена обновить производство на предприятии в Даляне. Сейчас завод выпускает NAND-память с 192 слоями, однако компания рассматривает переход на продукцию с 240 слоями и более. По сведениям источников Reuters, SK hynix также может запросить разрешение США на исследования и разработку NAND с числом слоёв свыше 300. Такие работы позволили бы подготовить технологическую базу для возможного производства более совершенной памяти в Соединённых Штатах.
Одним из факторов, ускоряющих модернизацию, становится усиление китайской YMTC. По данным исследовательской компании Omdia, во втором квартале 2026 года она заняла 38,5% китайского рынка NAND-памяти. Для сравнения, доля Samsung составила 33,5%, а SK hynix — 17%. Ассортимент YMTC преимущественно включает 160- и 232-слойные решения, хотя компания уже выпускает небольшие объёмы 294-слойной памяти и намерена развивать технологии с более чем 300 слоями.
Главным ограничением для южнокорейских производителей остаются экспортные правила США. С 2022 года Вашингтон ограничивает поставки ряда технологий и оборудования для производства полупроводников в Китай. Samsung и SK hynix должны ежегодно получать американские лицензии на установку оборудования производства США, включая установки для травления кремниевых пластин. В 2025 году американское Бюро промышленности и безопасности заявляло о намерении не разрешать модернизацию технологий и расширение мощностей на этих предприятиях.
При этом фактический объём разрешений, выданных для оборудования, необходимого Samsung и SK hynix, Reuters установить не удалось. Поэтому сроки и масштабы перехода на новые технологические процессы остаются зависимыми от регуляторных решений. Обе компании подтвердили сотрудничество с американскими властями, но не раскрыли подробные производственные планы.
Модернизация имеет значение и для рынка накопителей. NAND-память сохраняет данные без питания и используется в твердотельных накопителях, смартфонах и других устройствах. Увеличение числа слоёв позволяет повысить плотность хранения данных и потенциально снизить себестоимость производства. Однако само по себе увеличение числа слоёв не гарантирует пропорционального роста скорости накопителя.