Южнокорейские производители памяти SK hynix и Samsung готовятся продемонстрировать свои решения LPDDR6 нового поколения на Международной конференции по твердотельным схемам ISSCC 2026 года, которая пройдёт в Сан-Франциско с 15 по 19 февраля. Для обеих компаний это станет ключевой площадкой, чтобы показать прогресс в области энергоэффективной оперативной памяти, ориентированной на мобильные устройства, ИИ-платформы и компактные вычислительные системы.
SK hynix представит модули LPDDR6 ёмкостью 16 Гбит, рассчитанные на скорость передачи данных до 14,4 Гбит/с на контакт. Чипы изготовлены по техпроцессу 1c, также известному как 1γ, который является шестым поколением 10-нанометровой DRAM компании. Примечательно, что память работает на максимальных скоростях, предусмотренных стандартом JEDEC для LPDDR6, что указывает на практически полное раскрытие потенциала технологии. На этом фоне в отрасли уже обсуждается возможность появления разогнанных вариантов LPDDR6X в обозримом будущем.
Samsung, в свою очередь, заметно доработала собственную LPDDR6 по сравнению с версией, показанной на CES 2026. На ISSCC компания намерена продемонстрировать 16-гигабитные чипы со скоростью 12,8 Гбит/с на вывод, что ощутимо выше прежних 10,7 Гбит/с. По имеющимся данным, память производится по 12-нанометровому техпроцессу, который формально уступает решению SK hynix по плотности, однако Samsung делает акцент на энергоэффективности. Производитель заявляет о снижении энергопотребления на 21% по сравнению с LPDDR5X. Для интерфейса ввода-вывода используется NRZ-сигнализация с 12DQ-субканалом — аналогичный подход, как ожидается, применяет и SK hynix.
Помимо роста частот и улучшений в энергопотреблении, стандарт LPDDR6 приносит и более фундаментальные изменения. Впервые для DRAM реализован встроенный механизм отслеживания количества активаций строк, который напрямую направлен на борьбу с атаками Row Hammer. В отличие от прежних поколений, где защита в основном строилась на дополнительных циклах обновления, теперь контроль ведётся совместно контроллером и самим чипом памяти. Ещё одним важным новшеством стало внедрение служебных метаданных прямо в пакеты данных, что позволяет реализовать расширенную коррекцию ошибок на кристалле и на линии передачи, включая исправление одиночных битовых ошибок и обнаружение многобитных.
С точки зрения энергосбережения LPDDR6 также делает шаг вперёд, поддерживая динамическое масштабирование напряжения и частоты сразу по трём линиям питания вместо двух у LPDDR5. Дополнительные режимы эффективности позволяют увеличивать плотность микросхем и одновременно снижать энергозатраты на ввод-вывод. В совокупности эти изменения делают LPDDR6 одной из самых технологически насыщенных эволюций мобильной памяти за последние годы и задают ориентир для будущих поколений вычислительных платформ.