Компания TSMC официально объявила о старте массового производства чипов по 2-нм техпроцессу N2 на фабрике Fab 22, расположенной в южном тайваньском городе Гаосюн. Это первый завод TSMC, построенный столь далеко на юге острова, и лишь первая очередь масштабного производственного комплекса, который в перспективе будет состоять из пяти фаз. Предприятие уже работает с 300-миллиметровыми кремниевыми пластинами и использует первое поколение транзисторов nanosheet, ставших ключевой технологической особенностью нового узла.
По словам TSMC, техпроцесс N2 обеспечивает полноценный скачок в производительности и энергоэффективности, однако сравнение проводится не с оригинальным 3-нм узлом, а с его более зрелой версией N3E. Это подчёркивает, что переход на 2 нм для компании фактически выходит за рамки стандартного «полноузлового» обновления и даёт более заметный прирост характеристик, чем обычно ожидается при смене поколения.
Помимо новых транзисторов nanosheet, N2 приносит с собой и дополнительные улучшения, призванные повысить итоговую производительность микросхем. Среди них TSMC выделяет усовершенствованный слой перераспределения с пониженным сопротивлением, а также высокоэффективные металл-изолятор-металл конденсаторы, ориентированные на высокопроизводительные решения. Насколько значимым окажется вклад этих нововведений в реальных продуктах, станет ясно после появления первых коммерческих чипов, выпущенных по новому техпроцессу.
Согласно официальным данным TSMC, по сравнению с узлом N3E 2-нм технология обеспечивает прирост производительности на уровне 10–15 процентов при том же энергопотреблении либо снижение энергозатрат на 25–30 процентов при сохранении прежней производительности. Плотность транзисторов при этом увеличивается примерно на 15 процентов. Эти показатели делают N2 одним из самых амбициозных техпроцессов в истории компании и закладывают основу для следующего поколения процессоров, ускорителей и мобильных SoC, которые должны выйти на рынок в ближайшие годы.