Тайваньский гигант TSMC принял неожиданное, но стратегически важное решение: компания перепрофилирует свою старую 8-дюймовую фабрику Fab 3, расположенную в Научном парке Синьчжу, для внутреннего производства EUV-пелликул. Этот шаг позволит TSMC взять под контроль производство ключевого компонента, необходимого для работы с самыми передовыми техпроцессами.
EUV-пелликула представляет собой тонкую, высокопрозрачную мембрану, которая натягивается над фотошаблоном. Её задача — защищать шаблон от мельчайших частиц пыли и других загрязнений в процессе экспонирования. В условиях экстремальной ультрафиолетовой литографии это критически важно. В отличие от старых систем, EUV-машины работают с источниками света мощностью 400 Вт, что приводит к локальному нагреву фотошаблона до 1000 °C. В таких условиях риск загрязнения резко возрастает, а эффективность пелликулы напрямую влияет на выход годных чипов.
До недавнего времени использование этих защитных мембран было под вопросом из-за их высокой стоимости. Если DUV-пелликулы стоили около $720, то цена EUV-аналогов достигала $10 000 за штуку. При этом их приходится менять каждые три-четыре дня. Такая высокая цена отпугивала многих производителей и, как следствие, приводила к снижению выхода годной продукции.
Теперь, наладив собственное производство, TSMC стремится добиться сразу двух целей: снизить себестоимость пелликул и обеспечить стабильные поставки. Это позволит компании внедрять их в производство в промышленных масштабах без ущерба для экономики. В то же время, инженеры TSMC активно исследуют новые материалы, среди которых наиболее перспективными считаются нанотрубки. Они способны выдержать экстремальные условия и при этом оставаться максимально прозрачными для ультрафиолетового излучения.
TSMC планирует валидировать новые решения по мере освоения техпроцессов N2 и A16. Улучшенная производительность пелликул может дать компании значительное преимущество и дополнительно повысить выход годных чипов на самых передовых узлах, что в конечном счете укрепит её лидерство в отрасли.
Об авторе
