В эпоху повсеместного распространения искусственного интеллекта в смартфонах, пользователи высокопроизводительных устройств всё чаще сталкиваются с одной и той же проблемой: перегревом. Быстрая обработка данных для ИИ-приложений приводит к росту температуры, из-за чего снижается производительность и быстрее садится батарея. Компания SK hynix заявила, что нашла решение этой проблемы, представив первую в индустрии мобильную DRAM с улучшенным рассеиванием тепла.
Дело в том, что в современных флагманских смартфонах используется компоновка Package on Package (PoP). Она позволяет эффективно использовать внутреннее пространство устройства, размещая чип оперативной памяти прямо поверх центрального процессора. Такой подход повышает скорость обмена данными, но одновременно создаёт «тепловую ловушку»: всё тепло от процессора передаётся на DRAM, что в итоге замедляет работу всего устройства.
SK hynix решила эту проблему, усовершенствовав Epoxy Molding Compound (EMC) — специальный материал, который покрывает корпус микросхем DRAM. Инженеры компании добавили в него оксид алюминия, который значительно повысил теплопроводность. Благодаря этому нововведению теплоотдача улучшилась в 3.5 раза, а термическое сопротивление по вертикали снизилось на 47%. По словам Ли Гюджея, главы отдела разработки, это не просто техническое достижение, а реальное решение проблемы, с которой сталкиваются миллионы пользователей.
Новая технология обещает значительно повысить производительность смартфонов, снизить энергопотребление и продлить срок службы аккумулятора. Этот прорыв может стать ключевым для дальнейшего развития мобильных устройств с мощными ИИ-функциями.
Об авторе
