SK hynix сегодня объявила о разработке первой в отрасли 16 Гб DDR5, построенной с использованием своего технологического узла 1c, шестого поколения 10-нм процесса. Этот успех знаменует собой начало экстремального масштабирования до уровня, приближенного к 10 нм, в технологии производства памяти. Степень сложности продвижения процесса уменьшения размеров DRAM-технологии в диапазоне 10 нм росла с каждым поколением, но SK hynix стала первой в отрасли, кто преодолел технологические ограничения, повысив уровень совершенства в проектировании благодаря своей передовой технологии 1b, пятому поколению 10-нм процесса. SK hynix заявила, что будет готова к серийному производству DDR5 с технологическим узлом 1c в течение года, чтобы начать поставки в больших объемах в следующем году.
Чтобы сократить потенциальные ошибки, возникающие в процессе продвижения технологии, и максимально эффективно перенести преимущества 1b, которая широко признана лучшим по производительности DRAM, компания расширила платформу DRAM 1b для разработки 1c. Новый продукт обладает улучшенной ценовой конкурентоспособностью по сравнению с предыдущим поколением за счет использования нового материала в некоторых этапах процесса экстремального ультрафиолета (EUV), а также оптимизации процесса применения EUV в целом. SK hynix также повысила производительность более чем на 30% за счет технологических инноваций в проектировании. Рабочая скорость DDR5 с технологическим узлом 1c, которая, как ожидается, будет использоваться в высокопроизводительных центрах обработки данных, повышена на 11% по сравнению с предыдущим поколением, до 8 Гбит/с.
Благодаря также улучшению энергоэффективности более чем на 9%, SK hynix ожидает, что внедрение DRAM 1c поможет центрам обработки данных сократить затраты на электроэнергию на 30% в условиях, когда развитие эры искусственного интеллекта приводит к увеличению энергопотребления. “Мы стремимся предоставлять клиентам дифференцированные ценности, применяя технологию 1c, обладающую наилучшими показателями производительности и ценовой конкурентоспособностью, к нашим основным продуктам следующего поколения, включая HBM, LPDDR6 и GDDR7”, – сказал глава подразделения по разработке DRAM Ким Джонхван. “Мы продолжим работу над сохранением лидерства в сфере DRAM и укреплением позиций в качестве самого надежного поставщика решений для памяти в области искусственного интеллекта”.