SK hynix намерена максимально использовать возможности существующей структуры ячеек DRAM 6F², одновременно разрабатывая 4F² и 3D DRAM для следующих поколений памяти. Как сообщает Yonhap, компания обозначила эту стратегию 28 октября на конференции по итогам третьего квартала 2026 года. Сроки коммерческого внедрения новых структур не названы.
По оценке SK hynix, совершенствование техпроцессов с применением EUV — литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне — оставляет возможности для дальнейшего развития 6F². Компания считает наиболее эффективным пока опираться на платформу с отработанным производством и конкурентоспособной себестоимостью.
Для внедрения новой структуры недостаточно продемонстрировать работоспособную ячейку. Необходимо обеспечить выход годных изделий, надёжность и приемлемые затраты, завершить проектирование продуктов и пройти проверку у заказчиков. SK hynix связывает применение 4F² и 3D DRAM с технической зрелостью и экономической целесообразностью каждого решения.
Обозначения 6F² и 4F² описывают площадь ячейки через минимальный размер элемента F: соответственно 3F × 2F и 2F × 2F. При одинаковом F переход уменьшает площадь ячейки на треть. Расчётный прирост плотности массива составляет 50%, однако его нельзя автоматически переносить на ёмкость всего чипа: часть площади занимают вспомогательные схемы. Усложнение производства также может сократить экономическую выгоду.
Исследования SK hynix в области 4F² уже описаны в официальном техническом материале, опубликованном в июле. Компания представила экспериментальную структуру с вертикальным затвором и периферийными схемами под массивом ячеек, соединёнными посредством объединения пластин. В работе продемонстрированы операции чтения и записи, а также экранирование линий данных для снижения взаимных помех. Это исследовательский результат, а не объявление о начале серийного выпуска.
Источники: