В индустрии памяти назревают важные изменения: SK Hynix представила обновлённый план развития DRAM и NAND, который показывает, насколько напряжённой остаётся ситуация в сегментах HBM и флеша. Компания официально перенесла наращивание производства HBM4 с второго на третий квартал 2026 года. Первоначальный график оказался несовместим с текущей реальностью: спрос на HBM3E настолько велик, что SK Hynix вынуждена дольше поддерживать выпуск этого поколения, не освобождая мощности под новый тип памяти. Главный заказчик, NVIDIA, по сообщениям, испытывает трудности с масштабированием производства ускорителей «Rubin», что снижает необходимость в скорейшем переходе на HBM4. При этом HBM3E, используемая в «Blackwell», остаётся одной из самых востребованных позиций на рынке.
На фоне задержки HBM4 компания активно продвигает свою NAND-дорожную карту. SK Hynix разрабатывает новое поколение — трёхсотслойную V10 NAND, основанную на гибридном wafer-to-wafer bonding. Это будет первое масштабное внедрение архитектуры, в которой стек ячеек и периферийные схемы создаются на отдельных пластинах, а затем соединяются с субнанометровой точностью. Такой подход снижает тепловую нагрузку и упрощает формирование сверхвысоких стеков, но заметно усложняет процесс сборки: оборудование должно обеспечивать идеальное совмещение сотен кристаллов, а требования к контролю выхода годных становятся значительно жёстче. В 2026 году SK Hynix планирует провести валидацию V10 на тестовой линии, а полноценное производство стартует в 2027-м.
Хотя долгосрочные планы выглядят амбициозно, текущий дефицит NAND и DRAM они решить не смогут — рынок по-прежнему будет ограничен до момента запуска новых мощностей. SK Hynix намерена продолжать инвестиции в V10 и одновременно увеличивать выпуск V9, перераспределяя десятки тысяч 12-дюймовых пластин в пользу более высоких стеков для корпоративных SSD. Это лишь частично ослабит давление растущего спроса, и в ближайшие кварталы ёмкость NAND всё ещё останется ограниченной.
На стороне DRAM значимого увеличения производства пока не ожидается, однако компания приступила к установке новых EUV-сканеров. В течение ближайших двух лет SK Hynix планирует ввести в строй около 20 Low-NA EUV-установок, предназначенных для выпусков HBM и передовых типов памяти для хранения данных. Всё это формирует картину отрасли, в которой переход к новым технологиям идёт стремительно, но узкие места производственных циклов будут ощущаться ещё долго.