SK hynix делает серьёзный шаг в области AI-ориентированных NAND-чипов, а 2027 год намечен как ключевой этап реализации этих амбициозных планов. По данным ZDNet, компания совместно с NVIDIA работает над сверхскоростными накопителями, которые смогут обеспечивать до 30 раз более высокую производительность по сравнению с современными корпоративными SSD. Появление первых опытных образцов ожидается в конце 2026 года, а массовое производство второго поколения запланировано на конец 2027 года. Центральным элементом стратегии является архитектура SK hynix AI-N P для высокопроизводительных SSD, которая призвана устранить узкие места ввода-вывода при крупных AI-инференс нагрузках. Редизайн NAND и контроллер уже проходят проверку в рамках PoC-тестирования совместно с NVIDIA. По планам компании, первые образцы на PCIe Gen 6 будут демонстрировать до 25 миллионов IOPS, а серийная версия в 2027 году сможет достигать 100 миллионов IOPS, тогда как современные топовые корпоративные SSD показывают лишь 2–3 миллиона IOPS.
Дорожная карта SK hynix также включает AI-N B, известный как HBF (High Bandwidth Flash), разработанный совместно с Sandisk. Ожидается, что альфа-версия появится в начале 2026 года, а оценочные образцы поступят в 2027 году. В рамках более широкой стратегии компания делит своё новое поколение AI-NAND на три направления: AI-N P для ультра-высокой производительности SSD, AI-N B для высокой пропускной способности и AI-N D для накопителей с повышенной ёмкостью и сниженной стоимостью. SK hynix видит рынок AI как два отдельных фронта: крупные центры обработки данных, требующие максимальной пропускной способности, и on-device AI, ориентированный на энергоэффективность. Уже поколение AI-N P 2026 года должно обеспечивать примерно в 8–10 раз более высокую производительность по сравнению с текущими SSD, открывая новые возможности для инфраструктуры искусственного интеллекта.