Samsung завершила разработку своей первой микросхемы памяти шестого поколения HBM4 и перешла к финальной стадии подготовки перед запуском массового производства. Как сообщают AjuNews и другие южнокорейские источники, подразделение Device Solutions успешно прошло этап Production Readiness Approval — последний внутренний контрольный рубеж, позволяющий компании приступить к полномасштабному выпуску. Новое поколение памяти обещает около 60% прироста пропускной способности по сравнению с HBM3E, что делает HBM4 ключевой технологией для будущих GPU и систем ускоренной обработки данных.
По данным отрасли, Samsung уже отправила партии инженерных образцов NVIDIA, которая рассматривает их для платформы Rubin, следующего поколения своих вычислительных ускорителей. Первые результаты тестирования превзошли требования NVIDIA — скорость передачи более 11 Гбит/с на вывод. Для достижения таких показателей Samsung использует усовершенствованную DRAM класса 1c в сочетании с базовым логическим кристаллом, выполненным по 4-нм техпроцессу. Такой подход помогает снизить тепловыделение и энергопотребление при работе на повышенных частотах. Производственные линии уже готовы, и после одобрения NVIDIA компания сможет оперативно перейти к выпуску больших партий.
Прогресс Samsung был намечен ещё осенью: в ходе отчёта за третий квартал 2025 года компания подтвердила, что образцы HBM4 уже направлены глобальным клиентам, а массовое производство запланировано на 2026 год. Одновременно Samsung намерена сосредоточиться на стабильном выпуске 2-нм GAA-чипов и базовых пластин для HBM4, что совпадает с наращиванием мощностей нового завода в Тейлоре, штат Техас. Параллельно ведётся работа над более скоростной версией HBM4, которая может обеспечить дополнительно около 40% прироста производительности. Её анонс ожидается уже в феврале 2026 года, что позволит Samsung укрепить позиции в конкуренции за рынок высокопроизводительной памяти для ИИ-ускорителей и дата-центров.