На выставке Future of Memory and Storage (FMS) 2026 компания Samsung Electronics представила стратегию развития памяти и систем хранения данных для эпохи искусственного интеллекта. Экспозиция объединила около трех десятков разработок в области DRAM, NAND, корпоративных накопителей и специализированных решений для ИИ-инфраструктуры. Наиболее заметными анонсами стали концепции памяти zHBM и zNAND-O, а также новое поколение V10 BV-NAND, впервые в отрасли преодолевшее рубеж в 400 слоев.
Во время ключевого выступления представители подразделения Samsung Memory рассказали о том, как трехмерные архитектуры памяти будут использоваться в системах искусственного интеллекта следующего поколения. По мнению компании, дальнейший рост производительности ИИ-платформ уже невозможно обеспечить исключительно за счет вычислительных ускорителей — ключевую роль начинают играть пропускная способность памяти, задержки доступа и энергоэффективность всей подсистемы хранения данных.
Одной из самых перспективных разработок стала концепция zHBM, предлагающая иной подход к размещению высокоскоростной памяти. Если современные HBM-стеки располагаются рядом с вычислительным ускорителем, то в новой архитектуре память размещается непосредственно над ним. Такое решение сокращает расстояние передачи данных между процессором и памятью, снижая задержки и увеличивая пропускную способность.
По оценке Samsung, интерфейс следующего поколения с использованием zHBM сможет обеспечить примерно восьмикратный прирост производительности по сравнению с HBM5. Кроме того, применение новой технологии соединения кремниевых пластин позволит увеличить плотность размещения памяти более чем в десять раз, повысить энергоэффективность примерно втрое и более чем вдвое уменьшить тепловое сопротивление, что особенно важно для ускорителей искусственного интеллекта с экстремально высоким энергопотреблением.
Еще одной особенностью zHBM станет возможность глубокой адаптации под требования заказчиков. Samsung планирует интегрировать пользовательские IP-блоки непосредственно между памятью и вычислительным ускорителем, что позволит увеличивать объем памяти и оптимизировать производительность специализированных ИИ-решений.
Наряду с zHBM компания впервые показала концепцию zNAND-O — нового поколения высокопроизводительной NAND-памяти, основанной на технологии V-NAND. Решение разрабатывается в конфигурациях с четырьмя и восемью слоями и ориентировано прежде всего на системы Edge AI, где критически важны минимальные задержки, высокая скорость обмена данными и компактность хранения информации при выполнении задач в режиме реального времени.
Еще одной важной премьерой стала V10 BV-NAND — новая архитектура флеш-памяти, использующая фирменную технологию Bonding V-NAND. В отличие от традиционного подхода, здесь применяется соединение кремниевых пластин методом wafer bonding, что позволило значительно повысить плотность хранения данных. Новое поколение памяти насчитывает более 400 слоев, а плотность размещения ячеек выросла примерно на 58% по сравнению с предыдущей архитектурой V9. Помимо увеличения емкости Samsung также заявляет о росте скорости чтения, записи и производительности интерфейса ввода-вывода, что делает новую память подходящей для высокопроизводительных ИИ-систем.
Компания уделила внимание и существующей линейке продуктов. На стенде были представлены HBM4E, концепт HBM5, память LPDDR5X-PIM с функцией обработки данных непосредственно внутри памяти (Processing-In-Memory), а также корпоративные SSD PM1763 и BM1773, предназначенные для центров обработки данных нового поколения.
Samsung напомнила, что первой в отрасли начала массовое производство HBM4 на базе памяти класса 1c DRAM и базового кристалла, изготовленного по 4-нм техпроцессу, а уже в мае отправила образцы HBM4E ключевым заказчикам. Демонстрация HBM5 на FMS 2026 стала очередным этапом подготовки к следующему поколению высокоскоростной памяти для ИИ-ускорителей.
Отдельный акцент компания сделала на своей модели Integrated Device Manufacturer (IDM). Samsung остается единственным крупным производителем, который объединяет разработку памяти, контрактное производство полупроводников и современные технологии корпусирования. По мнению компании, именно такая вертикальная интеграция позволит ускорить создание специализированных ИИ-чипов, сократить сроки их вывода на рынок и предложить заказчикам комплексные решения — от проектирования до массового производства.
Представленные на FMS 2026 разработки демонстрируют, что Samsung делает ставку не только на дальнейшее увеличение количества слоев в памяти, но и на глубокое изменение архитектуры взаимодействия между памятью и вычислительными ускорителями. Именно этот подход, по мнению компании, станет одним из ключевых факторов развития высокопроизводительных платформ для искусственного интеллекта в ближайшие годы.
