Samsung нашла слабое место у чипа Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6. Об этом сообщают источники в цепочке поставок. Информация остаётся неофициальной. Заявлений Qualcomm и Samsung в исходном материале нет. Новость опубликовало китайское издание Kuai Ke Ji.
По этим данным, Samsung тестировала чип в рамках внутренней адаптации. Тесты показали заметное падение производительности при долгой нагрузке. Samsung передала результаты Qualcomm и потребовала быстро предложить меры по улучшению.
Издание называет Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 первым смартфонным чипом на 2-нм техпроцессе TSMC. Пиковая частота CPU впервые превысила 5 ГГц среди Android-чипов. Издание считает это новым рекордом.
Для этого чипа Qualcomm применила новую упаковку Offset PoP. Компания рассчитывала улучшить отвод тепла. Это должно было повысить стабильность производительности при долгой нагрузке. Однако в нескольких циклах тестов Samsung картина не изменилась.
При длительных мобильных играх и тяжёлом рендеринге чип перегревается. Затем он принудительно снижает частоту. Из-за этого страдает устойчивая производительность всего устройства. Потенциал 2-нм техпроцесса раскрывается не полностью.
Qualcomm в последние годы делает ставку на максимальную скорость. Компания стремится первой освоить новые техпроцессы. Она также повышает частоты ради лидерства в рейтингах Android-чипов. Высокие частоты дают сильные результаты в коротких тестах вроде Geekbench. Но они повышают энергопотребление и тепловыделение. Поэтому охлаждать чип при длительной нагрузке сложнее.
Несколько недель назад ранние публичные тесты выглядели обнадёживающе. Тогда многие считали, что Offset PoP заметно улучшил устойчивую производительность. Чип достигал порога 105 °C за время более 15 минут. Предыдущее поколение с обычной PoP-упаковкой доходило до него примерно за 6 минут 30 секунд. Эти цифры показывают реальный прогресс в отводе тепла. Однако внутренние тесты Samsung, если данные верны, показывают: проблема остаётся.