Компания Samsung Electronics официально объявила о начале массового производства и коммерческих поставок памяти нового поколения HBM4, став первой в отрасли, кто вывел эту технологию на рынок. Этот шаг обеспечивает Samsung раннее лидерство в сегменте высокоскоростной памяти для ускорителей искусственного интеллекта и дата-центров, где требования к пропускной способности и энергоэффективности растут особенно стремительно.
В отличие от традиционного подхода, предполагающего использование уже отработанных техпроцессов, Samsung сразу сделала ставку на самые передовые технологии. Для HBM4 применяется DRAM-процесс шестого поколения 10-нм класса, известный как 1c, а также 4-нм логический техпроцесс. По словам руководства компании, это позволило добиться стабильных выходов годных чипов и рекордных характеристик без необходимости дополнительного редизайна на этапе запуска серийного производства.
Новая память HBM4 обеспечивает стабильную скорость передачи данных на уровне 11,7 Гбит/с на контакт, что примерно на 46% выше текущего отраслевого ориентира в 8 Гбит/с и заметно превосходит показатели HBM3E. При необходимости частоты могут быть увеличены до 13 Гбит/с, что снижает риск возникновения узких мест при работе с крупными ИИ-моделями. Совокупная пропускная способность одного стека памяти выросла в 2,7 раза по сравнению с предыдущим поколением и достигает 3,3 ТБ/с, что напрямую отражается на производительности GPU и специализированных ускорителей.
HBM4 от Samsung использует 12-слойную компоновку, предлагая ёмкости от 24 до 36 ГБ, при этом компания уже готовит варианты с 16 слоями, которые позволят увеличить объём до 48 ГБ в соответствии с будущими требованиями заказчиков. Особое внимание уделено энергопотреблению и тепловым характеристикам, поскольку число линий ввода-вывода выросло с 1024 до 2048. За счёт оптимизации распределения питания, применения низковольтных TSV и доработок теплового дизайна энергоэффективность увеличилась на 40%, тепловое сопротивление улучшилось на 10%, а эффективность отвода тепла — на 30% по сравнению с HBM3E.
Samsung подчёркивает, что сочетание высокой производительности, энергоэффективности и надёжности делает HBM4 ключевым компонентом для будущих дата-центров, позволяя заказчикам повышать загрузку GPU и одновременно снижать совокупную стоимость владения инфраструктурой. Компания опирается на собственные масштабные производственные мощности DRAM, глубокую интеграцию между подразделениями Foundry и Memory, а также на экспертизу в области передовой упаковки чипов, что обеспечивает устойчивую цепочку поставок и сокращение сроков вывода продукции.
В Samsung ожидают, что продажи HBM более чем утроятся в 2026 году по сравнению с 2025-м, и уже активно расширяют производственные линии под HBM4. После успешного старта нового поколения компания планирует начать поставки образцов HBM4E во второй половине 2026 года, а кастомные версии HBM, разработанные под конкретные требования клиентов, должны дойти до заказчиков в 2027 году.