Южнокорейский гигант Samsung столкнулся с неожиданными проблемами при освоении нового поколения памяти NAND. По данным инсайдерских источников, компания была вынуждена отложить полномасштабное производство своей V9 QLC NAND как минимум до первой половины 2026 года.
Новая память V9 с 280 слоями впервые поступила в производство еще в апреле 2024 года, начиная с версий TLC. Однако, когда в сентябре того же года Samsung перешла к более сложным чипам QLC, возникли серьезные проблемы. Инсайдеры сообщают, что первые партии V9 QLC имели фундаментальные дефекты дизайна, которые приводили к значительным проблемам с производительностью.
Эта ситуация ставит Samsung в неудобное положение. Хотя компания по-прежнему является лидером на рынке NAND-памяти в целом, она заметно отстает от конкурентов именно в сегменте QLC. До сих пор флагманские продукты Samsung с QLC-памятью основаны на старой технологии V7, а восьмое поколение чипов V8 и вовсе было выпущено без QLC-версии.
Тем временем конкуренты не теряют времени. SK Hynix уже совершила прорыв, представив первые в мире чипы QLC NAND с 321 слоем и емкостью 2 ТБ. Японская Kioxia также анонсировала память V10 с 332 слоями, хотя пока она также находится на стадии подготовки к массовому производству.
Сама Samsung показала V10-класс TLC NAND с более чем 400 слоями еще в феврале, но пока не называет точных сроков начала их производства. Текущие проблемы с V9 QLC могут серьезно повлиять на темпы развития Samsung, ведь пока компания решает старые проблемы, конкуренты осваивают новые технологии.