Компания Samsung в 2026 году официально завершит производство 2D NAND Flash, закрывая важную, но уже устаревшую главу в истории твердотельной памяти. Как сообщает The Elec Korea, выпуск планарной NAND-памяти будет прекращён на предприятии в Hwaseong, где линия 12 до сих пор была задействована под эту технологию. Вместо полного вывода фабрики из эксплуатации Samsung намерена адаптировать существующее оборудование под новые задачи, более соответствующие текущему спросу, формируемому рынком ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Линия Hwaseong Line 12 обладает внушительной пропускной способностью — от 80 до 100 тысяч 300-мм кремниевых пластин в месяц, которые до сих пор использовались исключительно для 2D NAND. Однако в эпоху доминирования 3D NAND такая технология утратила экономический и технологический смысл. Чтобы сохранить ценность инфраструктуры, Samsung перепрофилирует оборудование под металлизацию DRAM — критически важный этап производства, отвечающий за формирование соединений между ячейками памяти. Это решение напрямую связано с расширением выпуска DRAM нового поколения, востребованной в ускорителях ИИ и HBM-памяти.
Наследие линии 12 продолжит шестое поколение DRAM класса 10 нм — так называемая 1c DRAM, применяемая в том числе для памяти HBM4. По оценкам компании, совокупная производственная мощность по этой технологии во второй половине года может достичь около 200 тысяч пластин в месяц. Перевод бывших NAND-мощностей под DRAM позволит ускорить наращивание объёмов наряду с действующими линиями на заводах в Pyeongtaek, где уже работают третья и четвёртая производственные линии.
Планарная 2D NAND-память появилась ещё в конце 1990-х годов и на протяжении десятилетий была основой флеш-накопителей. Однако по мере роста плотности и требований к энергоэффективности производители постепенно отказываются от этой архитектуры в пользу трёхмерной NAND, которая обеспечивает более высокие ёмкости, лучшую надёжность и заметный прирост производительности. Окончательное прекращение выпуска 2D NAND, намеченное на март, символизирует этот переход и освобождает ресурсы для более актуальных технологий. В долгосрочной перспективе дополнительная гибкость в производстве памяти может помочь Samsung смягчить дефицит на рынке накопителей и укрепить позиции в сегментах, связанных с ИИ и дата-центрами.
