Рост нагрузок ИИ требует более узкоспециализированных накопителей. Поэтому Samsung решила расширить линейку NAND нового поколения. Компания также ускоряет раннюю разработку таких продуктов. Цель — закрыть разные сценарии с разными требованиями к скорости.
По данным TrendForce, Samsung работает над тремя продуктами zNAND. Это zNAND-O, zNAND-T и zNAND-I. Каждый нацелен на свою задачу в сфере ИИ.
Официально Samsung пока не объявила zNAND-T и zNAND-I. Известно, что zNAND-T рассчитан на ёмкие и быстрые ИИ-центры обработки данных. Он должен давать высокую пропускную способность. Как и zNAND-O, он использует вертикально сложенные кристаллы NAND. Их соединяют сквозные кремниевые переходы TSV. Такая архитектура связана с высокоскоростной флеш-памятью HBF. Модель zNAND-I, напротив, обещает максимум IOPS. Этот показатель отражает число операций чтения и записи в секунду. Она подойдёт для инференса, где часто нужен доступ к небольшим временным данным.
Дизайн zNAND-O Samsung показала в августе на отраслевом мероприятии. Он сочетает высокую эффективность использования места, низкую задержку и хороший ввод-вывод. Его создали для периферийных вычислений в задачах ИИ реального времени. Цель — объединить скорость, близкую к DRAM, с ёмкостью NAND. Так компания хочет ответить на растущие потребности генеративного ИИ и больших языковых моделей. Образцы zNAND-O Samsung обещает в 2028 году.
Samsung не одинока в этом направлении. SK hynix со второй половины 2025 года строит семейство AI-NAND, или AIN. В него входят AIN P, AIN D и AIN B. Первая рассчитана на производительность и целится в 100 млн IOPS. Вторая делает ставку на плотность и стремится к петабайтным объёмам. Третья отвечает за пропускную способность и похожа на HBF.