Сотрудничество с различными отраслями промышленности и поддержка различных приложений
Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила, что разработала первую в отрасли 32-гигабитную (Гб) DDR5 DRAM самой высокой емкости с использованием технологического процесса класса 12 нанометров (нм). Это достижение было достигнуто после того, как Samsung начала массовое производство своей DDR5 DRAM 16 ГБ DDR5 класса 12 нм в мае 2023 года. Это подтверждает лидерство Samsung в области технологии DRAM следующего поколения и знаменует новую главу в области памяти большой емкости.
«Благодаря нашей памяти DRAM 32 ГБ 12-нм класса мы получили решение, которое позволит использовать модули DRAM объемом до 1 терабайта (ТБ), что позволит нам занять идеальные позиции для удовлетворения растущей потребности в DRAM большой емкости в эпоху искусственного интеллекта и больших объемов данных», — сказал Санджун Хван, исполнительный вице-президент Samsung Electronics по продуктам и технологиям DRAM. «Мы продолжим разрабатывать решения DRAM с использованием дифференцированных технологических процессов и дизайна, чтобы раздвинуть границы технологий памяти».
С 1983 года емкость DRAM увеличилась в 500 000 раз
Разработав свою первую 64-килобитную (Кб) DRAM в 1983 году, Samsung удалось увеличить ее емкость в 500 000 раз за последние 40 лет. Новейший продукт Samsung для памяти, разработанный с использованием передовых процессов и технологий для повышения плотности интеграции и оптимизации дизайна, обладает самой высокой в отрасли емкостью для одного чипа DRAM и предлагает вдвое большую емкость, чем 16 Гб DDR5 DRAM, при том же размере корпуса.
Ранее для модулей DRAM DDR5 емкостью 128 ГБ, изготовленных с использованием 16 ГБ DRAM, требовался процесс Through Silicon Via (TSV). Однако благодаря использованию 32 ГБ DRAM Samsung модуль объемом 128 ГБ теперь можно производить без использования процесса TSV, при этом энергопотребление снижается примерно на 10% по сравнению с модулями объемом 128 ГБ с 16 ГБ DRAM. Этот технологический прорыв делает продукт оптимальным решением для предприятий, уделяющих особое внимание энергоэффективности, таких как центры обработки данных.
Samsung планирует продолжать расширять линейку DRAM 32 ГБ DDR5 DRAM 12-нм класса, чтобы удовлетворить текущие и будущие потребности вычислительной и ИТ-индустрии. Samsung подтвердит свое лидерство на рынке DRAM следующего поколения, поставляя DRAM 32 ГБ DRAM 12-нм класса в центры обработки данных, а также заказчикам, которым требуются такие приложения, как искусственный интеллект и вычисления следующего поколения. Продукт также сыграет важную роль в продолжающемся сотрудничестве Samsung с другими ключевыми игроками отрасли.
Массовое производство новой памяти DDR5 DRAM 32 ГБ 12-нмкласса планируется начать к концу этого года.
Об авторе
