Компания Samsung Electronics совершила значительный прорыв в производстве передовой памяти 1c DRAM — технологии шестого поколения 10-нм DRAM. По данным TrendForce, выход годных чипов 1c DRAM достиг впечатляющих 50–70%, тогда как в прошлом году он не превышал 30%. Это достижение открывает новые перспективы для Samsung в сегменте высокопроизводительной памяти HBM, где компания конкурирует с такими гигантами, как SK Hynix и Micron.
Технология 1c DRAM считается технологией будущего благодаря своей высокой плотности и энергоэффективности — это особенно важно для ИИ-ускорителей, суперкомпьютеров и других вычислительных платформ следующего поколения. В отличие от конкурентов, которые по-прежнему используют более консервативные решения на базе 1b DRAM для HBM4, Samsung делает ставку именно на 1c DRAM, что потенциально даёт ей существенное преимущество по производительности и энергоэффективности.
Ускорение производства HBM4 — ключевая задача компании на ближайшее время. Массовый выпуск новых модулей планируется уже во второй половине 2025 года. Основные мощности для этого сосредоточены на заводе Pyeongtaek Line 3, в то время как Pyeongtaek Line 4 будет ориентирован на выпуск чипов для мобильных устройств и серверов. Хотя изначально Samsung планировала начать производство 1c DRAM ещё в 2024 году, глубокая переработка дизайна и технологического процесса привела к задержке более чем на год, однако сейчас ясно, что это решение было правильным и оправданным.
На рынке это может означать серьёзное изменение баланса сил. После неудач с HBM3E, когда Samsung отставала от SK Hynix, компания получила шанс вернуть лидерство в сегменте высокопроизводительной памяти. Более высокий выход годных чипов позволит снизить себестоимость производства HBM-модулей, сделав их более доступными для производителей оборудования. Если Samsung сможет стабилизировать процесс и сохранить высокий yield, её HBM4 получит конкурентное преимущество по скорости и энергоэффективности.
В перспективе массовое производство 1c DRAM начнётся до конца 2025 года, а первые поставки HBM4 можно ожидать в конце 2025-го — начале 2026-го. Этот шаг является важным этапом для Samsung на пути к лидерству в сфере памяти для искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. Если текущие успехи сохранятся, компания способна бросить серьёзный вызов SK Hynix в ближайшем будущем и укрепить свои позиции на глобальном рынке.
Таким образом, Samsung уверенно движется к технологическому лидерству, и следующая глава в истории высокопроизводительной памяти будет во многом зависеть от стабильности и масштабируемости выпуска 1c DRAM и HBM4.