На Глобальном форуме инноваций в области памяти (Global Memory Innovation Forum) в Шэньчжэне (Китай) компания Samsung подтвердила свои амбициозные планы по выпуску накопителей нового поколения. Кевин Ю (Kevin Yoo), технический директор подразделения памяти Samsung, представил практический график внедрения решений для хранения данных, включая продукты с поддержкой CXL 3.1 и PCIe 6.0.
Samsung планирует начать с выпуска PM1763 Gen 6 SSD уже в начале 2026 года. Ожидается, что этот накопитель продемонстрирует примерно удвоенную производительность по сравнению со своим предшественником, сохраняя при этом энергопотребление на уровне около 25 Вт.
После запланированного на 2026 год выпуска дисков Gen 5 емкостью 256 ТБ в форм-факторе EDSFF, компания намерена представить накопитель PCIe Gen 6 объемом 512 ТБ примерно в 2027 году также в форм-факторе 1T EDSFF. Эти сверхвысокоемкие SSD представляют особый интерес для ИИ-лабораторий, поскольку требования к данным для обучения моделей продолжают стремительно расти.
На том же мероприятии Samsung подтвердила, что ее шестое поколение CXL 3.1 CMM-D (Compute Memory Module-DRAM) и седьмое поколение памяти Z-NAND с технологией GIDS, которую называют хранилищем класса памяти (memory-class storage), также намечены к выпуску на 2026 год.
Ранее, в августе 2025 года, на мероприятии Future of Memory Storage Samsung уже демонстрировала прототип 256 ТБ SSD, впервые упомянутый еще в 2023 году. Было объявлено, что этот накопитель близок к готовности к рыночному релизу. Samsung сосредоточена на оптимизации охлаждения и производительности этих высокоемких дисков, что подтверждается полностью переработанной компоновкой контроллера, DRAM и конденсаторов. Стоит отметить, что точные даты выпуска этих SSD могут быть скорректированы, поскольку Samsung продолжает устранять потенциальные проблемы, связанные с тепловыделением и энергопотреблением в своих продуктах сверхвысокой емкости.
Об авторе
