Спрос на технологии искусственного интеллекта продолжает загружать заводы Samsung. Загрузка контрактного производства компании неуклонно растёт. Линии по техпроцессу 4 нм работают на полную мощность с конца прошлого года. По прогнозам, такая ситуация сохранится вплоть до 2027 года. Причиной стал запуск серийного производства памяти HBM4. Базовые кристаллы этой памяти изготавливаются именно по техпроцессу 4 нм. Дополнительную нагрузку создали растущие заказы на чипы Groq LPU. Эта продукция использует ту же технологию производства. Чтобы снизить давление на мощности, Samsung предложила клиентам альтернативу. Компания рекомендует часть заказов перевести на собственный техпроцесс 5 нм.
По данным издания Wccftech, спрос на HBM4 значительно превышает возможности производства. Такая ситуация вынуждает Samsung перенаправлять больше мощностей 4 нм под эту память. Сейчас линии техпроцесса 4 нм работают на полную загрузку. От 50 до 60 процентов мощностей уходит именно на базовые кристаллы HBM4. Производство сосредоточено на заводе в Пхёнтхэке в Южной Корее. Речь идёт о площадках номер два и три, линиях S5 и S6. Совокупная ежемесячная мощность этих линий составляет 30 тысяч пластин. Получается, что память HBM4 занимает как минимум 15 тысяч пластин ежемесячно.
В феврале этого года Samsung объявила о старте серийного производства HBM4. Память сочетает базовый кристалл по техпроцессу 4 нм с чипами DRAM по техпроцессу 1c нм. Это уже шестое поколение десятинанометрового класса производства. Компания добилась стабильного выхода годных изделий уже на начальном этапе выпуска. Продукция также показала лидирующую производительность в отрасли с самого старта. Благодаря раннему выходу на рынок отгрузки памяти быстро набирают обороты. Уже через четыре месяца серийного производства выручка превысила один миллиард долларов. Выход годных изделий HBM4 вырос с менее чем 60 до почти 80 процентов. Такой показатель компания планировала достичь лишь к концу 2026 года.
Раньше базовые кристаллы HBM традиционно изготавливали по обычному техпроцессу DRAM. С приходом поколения HBM4 производство переходит на контрактные фабрики. Теперь применяется техпроцесс логических чипов вместо памяти. Такой переход решает проблемы теплоотвода, задержки сигнала и энергоэффективности при высоких нагрузках. Особенно это касается новых заказных решений HBM с интегрированным контроллером памяти. Samsung уже выбрала собственные фабрики для выпуска базовых кристаллов. Конкуренты SK Hynix и Micron предпочли сотрудничество с TSMC для той же задачи.
