Micron, по данным инсайдеров, готовится к крупному наращиванию производственных мощностей в Японии, что может стать одним из самых масштабных инвестпроектов компании за последние годы. Фабрика в Хиросиме, где сегодня выпускают DRAM-память, вероятно, получит «соседа» — дополнительный завод, который, как считают источники в отрасли, будет ориентирован на выпуск высокоскоростной HBM-памяти. Эти сведения появились на фоне недавних сообщений о планируемом уходе Micron из Китая и усиливающейся глобальной перестройки цепочек поставок.
По данным Nikkei Asia, речь идёт о вложениях около 9,6 млрд долларов. Строительные работы могут стартовать уже в мае 2026 года, а первые поставки продукции — предположительно HBM4 и HBM4E — ожидаются в 2028 году. Предполагается, что расширение японского кластера снизит нагрузку на тайваньские мощности Micron, которые сейчас обеспечивают выпуск разных типов HBM для стремительно растущего рынка решений под задачи искусственного интеллекта.
Источник также утверждает, что проект активно поддерживается японским правительством. Министерство экономики, торговли и промышленности (METI) якобы готовит пакет субсидий, который может достигнуть 500 млрд иен. Это соответствует стратегии страны по укреплению национального полупроводникового сектора и привлечению глобальных производителей для локализации передовых технологий.
Рост спроса на память, оптимизированную для AI-нагрузок, продолжает создавать давление на поставщиков, и планы Micron по расширению в Японии выглядят как ответ на устойчивый запрос индустрии. Если информация подтвердится, новый завод станет ключевым звеном в глобальной сети компании и важным фактором в конкурентной борьбе на рынке HBM-памяти.
