Компания KIOXIA America объявила о начале поставок образцов встроенной памяти Universal Flash Storage версии 4.1, выполненной по технологии QLC с записью четырёх бит на ячейку. Новые чипы ориентированы на сценарии с преобладанием операций чтения и на устройства, где требуется высокая ёмкость хранилища при сохранении конкурентной производительности. В их основе лежит восьмое поколение 3D-памяти BiCS FLASH, которое стало ключевым технологическим обновлением для линейки UFS.
Использование QLC позволяет заметно повысить плотность хранения по сравнению с традиционными решениями TLC, что особенно актуально для современных мобильных устройств, где растёт спрос на версии с большим объёмом памяти. По словам KIOXIA, прогресс в области контроллеров и алгоритмов коррекции ошибок позволил реализовать QLC без критичных компромиссов по скорости. Более того, новое поколение демонстрирует ощутимый прирост производительности относительно предыдущих решений на базе UFS 4.0 и BiCS FLASH шестого поколения. Последовательная запись стала быстрее примерно на четверть, случайное чтение ускорилось почти вдвое, а случайная запись — почти в три раза. Дополнительно компания отмечает заметное снижение коэффициента усиления записи, что положительно сказывается на ресурсе и стабильности работы памяти.
Изначально такие накопители ориентированы на смартфоны и планшеты, однако KIOXIA подчёркивает, что потенциал UFS 4.1 на базе QLC выходит далеко за рамки мобильного сегмента. Новые чипы подходят для компактных ПК, сетевых решений, устройств дополненной и виртуальной реальности, IoT-платформ и систем с поддержкой искусственного интеллекта, где требуются высокая ёмкость и стабильная скорость доступа к данным.
Память будет доступна в вариантах объёмом 512 ГБ и 1 ТБ и поставляется в стандартном JEDEC-корпусе со встроенным контроллером. При этом габариты модуля удалось уменьшить по сравнению с предыдущим поколением QLC UFS, что упрощает интеграцию в тонкие и компактные устройства. Существенную роль в этом сыграла новая архитектура BiCS FLASH 8 с технологией CBA, при которой CMOS-логика напрямую объединяется с массивом памяти, повышая эффективность и плотность размещения.
Как отметил вице-президент подразделения памяти KIOXIA America Майтри Дхолакия, компания продолжает развивать флеш-технологии в ответ на растущий спрос на ёмкие и производительные накопители. Новые устройства UFS 4.1 на базе QLC отражают этот курс и дают производителям возможность создавать более функциональные и универсальные мобильные и подключённые продукты.