Intel и дочерняя компания SoftBank, Saimemory, подписали соглашение о совместной разработке и коммерциализации технологии Z-Angle Memory (ZAM), ориентированной на задачи искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. ZAM представляет собой стековую архитектуру DRAM, которая обещает превзойти современные решения с высокой пропускной способностью (HBM), обеспечивая больше памяти и пропускную способность при меньшем энергопотреблении. Название технологии связано с вертикальной организацией слоёв памяти по оси Z, как отмечают источники EE Times Japan.
Проект опирается на наработки Intel в области Next Generation DRAM Bonding (NGDB), созданные в рамках американской правительственной программы Advanced Memory Technology (AMT) совместно с национальными лабораториями Sandia, Lawrence Livermore и Los Alamos. Прототипы NGDB с восемью вертикально уложенными слоями DRAM продемонстрировали полную функциональность новой технологии стекования и соединения, как сообщалось Sandia в январе.
По данным Nikkei и Wallstreet.cn, Saimemory планирует предложить в два-три раза большую ёмкость по сравнению с текущей HBM при снижении энергопотребления на 40–50%, сохраняя при этом конкурентоспособную цену. Компания рассчитывает представить первые прототипы уже в начале 2028 года, а коммерческую продукцию — в 2029 году. SoftBank планирует инвестировать около 3 миллиардов йен в фазу прототипирования. Для Intel это сотрудничество означает возвращение к передовым DRAM-технологиям после выхода с рынка памяти несколько десятилетий назад.
