Технологический гигант Samsung на недавнем саммите OCP (Open Compute Project) представил впечатляющие детали о своей оперативной памяти следующего поколения HBM4e, которая, судя по всему, станет ключевым элементом для будущих систем искусственного интеллекта. Компания нацелена на достижение скорости более 13 Гбит/с на один контакт, что обеспечит колоссальную общую пропускную способность в 3,25 ТБ/с}. Это примерно в 2,5 раза быстрее, чем у актуальной памяти HBM3e.
Помимо невероятного прироста скорости, Samsung также обещает более чем двукратное улучшение энергоэффективности, снижая потребление энергии ниже 1,95 пДж/бит — это меньше половины показателя HBM3e.
Согласно инсайдерской информации, столь агрессивное развитие технологий обусловлено прямым запросом со стороны NVIDIA, которая ищет высокоскоростные чипы памяти для своего грядущего ИИ-ускорителя Vera Rubin. Несмотря на то, что официальный стандарт JEDEC HBM4 ограничивает пропускную способность на уровне 8 Гбит/с на контакт, NVIDIA якобы призвала всех ключевых игроков рынка — Samsung, SK hynix и Micron — преодолеть отметку в 10 Гбит/с.
Стремясь опередить конкурентов и удовлетворить спрос NVIDIA, Samsung, по сообщениям, пошла на беспрецедентные меры. Чтобы ускорить процесс, компания, возможно, даже расформировала специальную рабочую группу, занимавшуюся повышением выхода годных чипов 1c DRAM, перенаправив усилия на массовое производство HBM4. Отчеты показывают, что Samsung пропустила обычную внутреннюю проверку производства и сразу перешла к наращиванию объемов, даже несмотря на то, что ранние “холодные” тесты демонстрировали выход годных чипов ниже 50%. Аналитики TrendForce добавляют, что для производства базового кристалла HBM4 Samsung перешла на передовой 4-нм техпроцесс FinFET, что обеспечивает ей преимущество как в скорости, так и в масштабах производства. Начало массового производства чипов со скоростью $10 \text{ Гбит/с}$ ожидается уже к концу 2025 года.
Инновационная активность Samsung совпала с отличными финансовыми новостями. На прошлой неделе компания объявила о результатах третьего квартала 2025 года: операционная прибыль неожиданно выросла на 32% по сравнению с прошлым годом, достигнув 12,1 трлн вон (около 8,5 млрд долларов США). Этот показатель значительно превзошел рыночные прогнозы, которые составляли около 10 трлн вон. Хотя детальные отчеты будут раскрыты только 30 октября, аналитики уже оценили, что одно только полупроводниковое подразделение (DS) заработало около 5 трлн вон (3,5 млрд), что более чем в десять раз превышает его прибыль во втором квартале. Основной причиной впечатляющего финансового возрождения стало значительное улучшение показателей литейного (Foundry) бизнеса Samsung, который смог повысить загрузку мощностей и привлечь новых крупных клиентов.