Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) сделал очередной шаг в развитии собственного производства DRAM, приступив к опытному выпуску микросхем LPDDR6. По данным отраслевых источников, компания уже отправляет первые партии памяти своим партнерам для валидации, что свидетельствует о завершении одного из ключевых этапов перед переходом к серийному производству.
Если информация подтвердится, CXMT станет одним из первых производителей, освоивших выпуск памяти нового поколения наряду с Samsung, SK hynix и Micron. Еще несколько лет назад китайская компания заметно уступала лидерам рынка по уровню технологий, однако теперь, как отмечают аналитики, ей удалось практически сравняться с крупнейшими мировыми игроками по темпам внедрения новых стандартов.
Сообщается, что первые микросхемы LPDDR6 производства CXMT обеспечивают скорость передачи данных до 12,8 Гбит/с, тогда как базовая спецификация стандарта предусматривает уровень 10,7 Гбит/с. Для сравнения, память LPDDR5X в своих наиболее производительных реализациях также достигала около 10,7 Гбит/с, поэтому LPDDR6 обеспечивает заметный прирост пропускной способности уже на первом этапе развития стандарта.
Новые чипы имеют емкость 16 Гбит (2 ГБ) и выполнены в корпусе Package-on-Package (PoP), который широко применяется в мобильных устройствах благодаря компактности и возможности размещения памяти непосредственно над процессором. По имеющимся данным, корпус использует около 1295 контактных площадок с массивом шариковых выводов (BGA), что соответствует требованиям современных мобильных платформ.
Пока речь идет лишь о стадии risk production — опытного производства, предназначенного для проверки технологического процесса перед запуском массового выпуска. На этом этапе производитель оценивает стабильность изготовления, процент выхода годных кристаллов и совместимость памяти с платформами заказчиков. Именно поэтому первые партии уже отправлены партнерам для тестирования и сертификации.
Переход к полномасштабному производству обычно занимает от нескольких недель до нескольких месяцев. Однако источники отмечают, что CXMT активно расширяет производственные мощности и модернизирует фабрики, поэтому начало серийного выпуска может состояться в достаточно короткие сроки, если этап квалификации пройдет без существенных замечаний.
На фоне появления первых сведений о разработке CXMT интерес представляет и прогресс конкурентов. Ранее SK hynix сообщила о подготовке собственных модулей LPDDR6 емкостью 16 Гбит, выпускаемых по техпроцессу шестого поколения класса 10 нм (1c) и рассчитанных на скорость до 14,4 Гбит/с. Хотя южнокорейская память превосходит решение CXMT по максимальной пропускной способности, обе разработки укладываются в рамки официальной спецификации JEDEC, а дальнейшее развитие технологии позволит постепенно увеличить рабочие скорости.
Появление LPDDR6 знаменует очередной этап эволюции мобильной памяти. Более высокая пропускная способность окажется востребованной в смартфонах следующего поколения, ноутбуках с процессорами на архитектуре Arm, устройствах с локальными ИИ-ускорителями и других системах, где растущая производительность вычислительных блоков требует соответствующего увеличения скорости обмена данными с оперативной памятью. Для самой CXMT успешное освоение LPDDR6 может стать важной вехой, подтверждающей способность китайской компании конкурировать с признанными лидерами мирового рынка DRAM.
