По слухам с форума ChipHell, известного своими достоверными утечками об AMD, компания планирует производить свои чиплеты CCD (core complex die) следующего поколения с микроархитектурой «Zen 6» по 3-нм техпроцессу TSMC N3E. Также сообщается об обновлении кристаллов ввода-вывода для следующего поколения, которые будут производиться по 4-нм техпроцессу, вероятно, TSMC N4C. Техпроцесс TSMC N3E предлагает 20% прирост скорости, более 30% экономии энергии и примерно 60% увеличение плотности логики по сравнению с TSMC N5, в то время как TSMC N4P, используемый для текущих чиплетов «Zen 5», обеспечивает лишь незначительное увеличение плотности логики и энергоэффективности по сравнению с N5. N3E использует двойное экспонирование EUV для достижения такого увеличения плотности.
Наиболее интересная новость касается кристаллов ввода-вывода нового поколения. AMD планирует производить их по 4-нм техпроцессу, что является значительным шагом вперед по сравнению с 6-нм техпроцессом, используемым в настоящее время. Для клиентских решений это позволит обновить интегрированную графику в cIOD, вероятно, на базе более новой архитектуры, такой как RDNA 3.5, а также интегрировать нейропроцессорный блок (NPU). AMD также может обновить ключевые компоненты ввода-вывода, такие как контроллеры памяти DDR5, для поддержки более высоких скоростей памяти, доступных благодаря CUDIMM. Обновлений в части PCIe не ожидается, так как AMD, вероятно, продолжит использовать сокет AM5, предусматривающий 28 линий PCIe Gen 5. В лучшем случае интерфейс USB может быть обновлен до USB4 благодаря встроенному хост-контроллеру. Для серверных решений новый sIOD обеспечит необходимое увеличение скорости памяти DDR5 благодаря новым драйверам синхронизации.
Также ходят слухи о графике. В зависимости от рыночного успеха серии Radeon RX 9000 и архитектуры RDNA 4, AMD может вернуться в сегмент high-end решений со своей архитектурой следующего поколения UDNA, которая будет общей как для графики, так и для вычислений. Дискретные видеокарты следующего поколения будут производиться по техпроцессу TSMC N3E.
Об авторе
