По мере того, как задачи искусственного интеллекта становятся все сложнее и требовательнее, пропускная способность и емкость памяти приобретают ключевое значение для производительности систем. Самые современные графические процессоры нуждаются в высокопроизводительной памяти с высокой пропускной способностью (HBM), большой емкости и высокой энергоэффективности. Micron, являясь лидером в области инноваций памяти, представляет 12-уровневую память HBM3E, которая уже поставляется ключевым партнерам отрасли для интеграции в экосистему искусственного интеллекта.
Ключевые преимущества Micron HBM3E 12-уровневой памяти:
- Емкость 36 ГБ: На 50% больше, чем у существующих 8-уровневых решений HBM3E, позволяя запускать крупные модели ИИ, такие как Llama 2 с 70 миллиардами параметров, на одном процессоре. Это ускоряет обработку данных за счет сокращения задержек и необходимости переключения между ЦП и графическими процессорами.
- Низкое энергопотребление: Micron HBM3E 12-уровневой памяти потребляет значительно меньше энергии по сравнению с 8-уровневыми решениями конкурентов, несмотря на увеличенную емкость.
- Пропускная способность 1,2 ТБ/с: Благодаря скорости передачи данных более 9,2 Гбит/с, Micron HBM3E 12-уровневой памяти обеспечивает максимальную скорость обработки данных для AI-ускорителей, суперкомпьютеров и дата-центров.
- Улучшенная надежность: Micron HBM3E 12-уровневой памяти включает в себя полностью программируемый MBIST, позволяющий проводить комплексные тесты с максимальной скоростью, что ускоряет проверку и вывод продукта на рынок, а также повышает его надежность.
Поддержка экосистемы:
Micron активно сотрудничает с ключевыми партнерами отрасли, поставляя серийные образцы 12-уровневой памяти HBM3E, что демонстрирует приверженность Micron инновациям и удовлетворению растущих потребностей инфраструктуры искусственного интеллекта.
Micron является членом альянса TSMC 3DFabric, который направлен на развитие полупроводниковых и системных инноваций. Производство систем ИИ является сложным процессом, требующим тесного сотрудничества между поставщиками памяти, клиентами и производителями сборки и тестирования полупроводниковых изделий.
Дэн Кочпачарин, глава отдела управления экосистемами и альянсами TSMC, подчеркивает: «TSMC и Micron имеют прочные стратегические отношения. В рамках экосистемы OIP мы тесно сотрудничали, чтобы обеспечить поддержку дизайна системы Micron на основе HBM3E и упаковки чипов на подложке (CoWoS), способствуя инновациям в области ИИ наших клиентов».
Micron HBM3E 12-уровневой памяти – это важный шаг в развитии высокопроизводительной памяти для современных систем искусственного интеллекта.
Micron представляет новую версию высокопроизводительной памяти HBM3E 12-high 36 GB, которая предлагает ряд преимуществ для центров обработки данных и AI-решений:
Ключевые Преимущества:
- Увеличенная Емкость: 36 ГБ (на 50% больше, чем у предыдущих моделей HBM3E), позволяющая легко масштабировать растущие задачи искусственного интеллекта.
- Энергоэффективность: Significantly lower power consumption compared to competitive HBM3E 8-high 24 GB solutions.
- Высокая Производительность: Скорость передачи данных более 9.2 Gb/s, обеспечивающая пропускную способность более 1.2 TB/s, что ускоряет доступ к данным для AI-ускорителей, суперкомпьютеров и дата-центров.
- Ускоренная Валидация: Встроенный механизм самопроверки MBIST (Built-in Self Test) позволяет проводить тесты с высокой скоростью, максимально приближенной к реальной нагрузке, сокращая время на валидацию и ускоряя выход на рынок.
Будущее:
Micron активно работает над будущими поколениями HBM4 и HBM4E, чтобы оставаться лидером в области памяти и хранения данных, двигая вперед развитие технологий дата-центров.