В марте Илон Маск объявил о запуске масштабного проекта TeraFab. Его совместно реализуют аэрокосмическая компания SpaceX и разработчик ИИ xAI. Комплекс построят в округе Граймс, штат Техас. Он объединит производство логических микросхем, памяти и передовую упаковку чипов.
Несмотря на интерес Маска к свободно-электронным лазерам, проект выбрал более зрелое решение. Для производства планируют использовать EUV-литографию. По данным Tom’s Hardware, первую такую установку завод может получить в середине 2027 года. Однако график строительства способен изменить сроки поставки и монтажа оборудования.
Предприятие расположится в северной части комплекса Giga Texas. Строительство началось в апреле этого года. Основные строительные работы планируют завершить за 15 месяцев. Затем потребуется ещё около шести месяцев для установки оборудования. Только после этого завод сможет перейти к подготовке первой стадии производства чипов.
По имеющимся сведениям, здание может быть готово позже прибытия литографической установки. В таком случае дорогостоящее оборудование некоторое время останется без работы. Это особенно заметно на фоне высокого спроса на EUV-системы. Производственные возможности ASML ограничены, поэтому простой оборудования может оказаться невыгодным.
В проект также включилась Intel. Компания планирует предоставить TeraFab лицензию на технологический процесс Intel 14A. Для его реализации потребуется EUV-литография. Кроме того, проект предусматривает применение следующего поколения установок High-NA EUV. Они предназначены для производства передовых полупроводников с использованием более высокой числовой апертуры.
По оценкам аналитиков, первая производственная линия TeraFab заработает в конце 2029 года. К середине 2030 года предприятие должно выйти на массовое производство. Затем проект будет постепенно наращивать производственные мощности. Таким образом, получение первой EUV-установки станет лишь одним из ранних этапов подготовки будущего завода.