В последние годы SK hynix укрепила позиции на рынке HBM. Компания успешно развивала память HBM3 и HBM3E. Высокая маржинальность этого сегмента принесла ей заметные преимущества. В определённый момент SK hynix даже обошла Samsung. Компания стала крупнейшим поставщиком DRAM-памяти.
С приходом HBM4 ситуация начала меняться. Samsung постепенно решила проблемы прошлых поколений. Они касались производительности и особенностей производства памяти. На этом фоне доля SK hynix в HBM начала сокращаться. Она снизилась с 64 до 50 процентов. Доля Samsung при этом выросла до 33 процентов.
По данным TechPowerUp, SK hynix столкнулась с новой проблемой. Речь идёт о разработке технологии hybrid bonding для HBM. Информацию якобы раскрыл инженер исследовательского подразделения SK hynix. По его словам, компания испытывает трудности при разработке этой технологии. Образцы HBM с hybrid bonding пока не начали производить.
Если эта информация подтвердится, ситуация станет серьёзным ударом. Samsung уже отправила клиентам соответствующие образцы памяти. Это даёт компании преимущество при дальнейшем освоении технологии. SK hynix при таком сценарии рискует потерять часть рынка. Особенно это касается наиболее дорогого сегмента HBM.
Технология hybrid bonding связана с дальнейшим развитием многослойной памяти. При увеличении числа слоёв расстояние между чипами необходимо сокращать. Поэтому отрасль рассматривает новые способы соединения кристаллов. Hybrid bonding считается одним из ключевых вариантов такого развития.
JEDEC уже учитывала эту проблему при разработке HBM4. Организация обсуждала увеличение допустимой высоты памяти. Предыдущий предел составлял максимум 720 микрометров. Для HBM4 его увеличили до 775 микрометров. Это позволяет использовать 12- и 16-слойные конфигурации.
В будущих поколениях число слоёв может продолжить расти. HBM4E и HBM5 могут получить стеки из 20 слоёв. Поэтому отрасль может дополнительно увеличить допустимую высоту. Обсуждаемый диапазон составляет от 825 до 900 микрометров.
Увеличение высоты HBM связано не только с компоновкой. Важную роль здесь играет технология соединения кристаллов. Чем больше слоёв, тем сложнее сохранить компактность стека. Производителям приходится уменьшать промежутки между чипами.
Для SK hynix увеличение высоты HBM4 дало дополнительную возможность. Компания смогла сохранить существующую технологию соединения. Это позволило создавать стеки из 16 слоёв. Переход на hybrid bonding при этом не требовался. Такой подход снижает производственные затраты и сложность изготовления.
Samsung выбрала другой путь развития технологии. Компания активнее остальных производителей развивает hybrid bonding. Samsung планирует использовать её в отдельных 16-слойных версиях HBM4E. Поэтому проблемы SK hynix могут усилить технологическое преимущество конкурента.
