По данным TechPowerUp, память Samsung HBM4E прошла проверку NVIDIA. Её применят в платформе Rubin Ultra следующего поколения. Ещё в мае Samsung объявила о первых в отрасли образцах 12-слойной HBM4E. Их получили ключевые клиенты по всему миру. Так компания укрепляет лидерство на рынке памяти нового поколения.
Для Samsung это очередной значимый успех в сегменте HBM. Раньше её HBM3E долго не могла выполнить требования NVIDIA к валидации. С HBM4 и HBM4E дела идут заметно лучше.
Скорость HBM4E составляет 14 Гбит/с, и её можно поднять до 16 Гбит/с. Пропускная способность одного стека достигает 3,6 ТБ/с. Это более чем на 20% выше, чем у HBM4. Такой запас поможет большим языковым моделям и будущим ИИ-системам. Двенадцатислойный стек вмещает 48 ГБ. Это более чем на 30% больше, чем у предыдущего поколения. Samsung также планирует версии на 32 ГБ с восемью слоями и на 64 ГБ с шестнадцатью. Их выпустят по запросам клиентов.
Сейчас базовый кристалл HBM4 на 4 нм Samsung делает на собственной фабрике. С HBM4E ситуация, по слухам, может измениться. Наступает эпоха заказной памяти HBM. Поэтому Samsung выбрала стратегию двух путей. Базовый кристалл будут выпускать как на её фабрике, так и на мощностях TSMC. Выбор зависит от желания клиента.
