В феврале этого года компания начала массовое производство памяти HBM4. Технология сочетает четырехнанометровую базовую пластину с усовершенствованным процессом DRAM. Речь идет о техпроцессе поколения 1c, относящемся к классу 10 нанометров.
С самого начала производства Samsung достигла стабильного выхода годных чипов. Компания также показала лидирующую производительность памяти уже на старте выпуска. Ранний выход на рынок обеспечил быстрый рост объемов поставок продукции.
После нескольких лет упорной работы компания преодолела давние проблемы производства. Речь идет о трудностях с выходом годных чипов HBM3 и HBM3E. Одновременно Samsung успешно продвигает разработку следующего поколения памяти HBM4E. В мае этого года компания уже передала образцы клиентам для тестирования.
Издание DigiTimes сообщает об изменении стратегии Samsung на рынке памяти. Компания переходит от догоняющего развития технологий к масштабированию производства. Теперь главной целью становится расширение объемов поставок готовой продукции.
Samsung планирует удвоить или даже увеличить сильнее поставки памяти HBM4 и HBM4E. Компания нацелена на достижение этого показателя уже в 2027 году. Для реализации таких планов потребуется существенное расширение производственных мощностей.
Компания намерена значительно увеличить закупки стеклянных подложек в следующем году. Речь идет о ключевом материале для производства памяти HBM. Объем закупок вырастет в 2.5 раза по сравнению с текущим годом. Месячный показатель увеличится с двадцати до пятидесяти тысяч пластин.
Стеклянная подложка выполняет функцию временной опорной структуры для пластины памяти. Материал крепится к нижней части кремниевой пластины HBM DRAM. Такое решение предотвращает изгиб или растрескивание пластины при обработке. Особенно важна защита во время шлифовки, утончения и сверления отверстий.
С ростом числа слоев в стеке DRAM важность технологии растет. Контроль утончения пластины и предотвращение деформации становится критически важным процессом. Стоит отметить важную особенность использования стеклянных подложек в производстве.
Материал допускает многократное повторное использование в производственном цикле компании. Однако разные технологические процессы влияют на реальный расход подложек по-разному. Также на потребление материала влияет уровень выхода годных чипов. Итоговый объем производства памяти будет зависеть от практического использования подложек компанией.
Расширение производства HBM4 и HBM4E затронет в первую очередь сложные конфигурации. Речь идет о продукции с двенадцатью и более слоями стека памяти.
Эксперты отрасли прогнозируют рост производственных мощностей Samsung в ближайший период. Показатель может вырасти с 180 до 250 тысяч пластин в месяц. Такой рост составит примерно сорок процентов относительно текущего уровня производства.
Доля памяти HBM4 в общем объеме продукции значительно увеличится в будущем. Показатель может вырасти с сорока до восьмидесяти процентов от общего объема. Одновременно продолжится постепенное наращивание производственных мощностей для памяти HBM4E.
