Компания CXMT объявила о запуске серийного производства памяти LPDDR6. Разработка полностью выполнена собственными силами компании. Первым устройством с новой памятью стал складной флагман Xiaomi 18 Fold. Это первый в мире случай коммерческого использования LPDDR6 во флагманском смартфоне. Событие стало важным шагом для китайской памяти в премиальном сегменте.
По характеристикам новая память CXMT предлагает объём одного кристалла 16 Гбит. Объём чипа в сборе достигает 16 ГБ. Продукт полностью соответствует стандарту JEDEC LPDDR6. Компания применила новую упаковку формата 1295 Ball FBGA.
Максимальная скорость передачи данных чипа достигает 12800 Мбит/с. В связке с системой на чипе скорость составляет 10667 Мбит/с. Такой показатель обеспечивает флагманским процессорам достаточную пропускную способность.
По сравнению с памятью LPDDR5X на той же скорости 10667 Мбит/с прирост заметен сразу. Пропускная способность выросла на 60 процентов. Энергопотребление при этом снизилось на 20 процентов. Такое сочетание способно заметно продлить автономность мобильных устройств.
За разработкой и запуском производства LPDDR6 стоит целый ряд инженерных новшеств. Архитектура чипа построена на двух независимых субканалах. В обычном режиме используется нативный 24-битный интерфейс ввода-вывода. Высокоскоростной интерфейс позволяет независимо настраивать предыскажение и параметры выравнивания сигнала для каждой линии. В сочетании с интеллектуальной системой обучения решение обеспечивает точность и стабильность при высокоскоростной передаче данных.
В области энергоэффективности LPDDR6 использует двухрельсовую архитектуру DVFS. Такое решение обеспечивает аппаратное разделение напряжений питания. Компания также внедрила режим динамической эффективности для гибкого управления нагрузкой. Чип сохраняет оптимальное соотношение производительности и энергопотребления при разных уровнях нагрузки.
Помимо существующих механизмов Link ECC и On Die ECC, появились новые функции защиты. Речь идёт о подсчёте активаций строк для защиты от атак типа Row Hammer. Также добавлена функция встроенного самотестирования чипа. Такой набор механизмов усиливает целостность данных и стабильность всей системы.
На уровне техпроцесса CXMT провела совместную оптимизацию проектирования и производства. Компания внедрила более ста улучшений в ключевых схемах области CMOS. Такая работа позволила создать более компактные и производительные транзисторы CMOS. Именно эти улучшения обеспечили требуемый рост пропускной способности при снижении энергопотребления.
На этапе упаковки чипа компания применила формат 1295 Ball FBGA. Площадь контактных площадок выросла на 50 процентов по сравнению с форматом 496 Ball у LPDDR5. Такое решение усложнило производственный процесс упаковки. Компания использовала теплопроводящий компаунд High K EMC для защиты всего чипа. Тепловое сопротивление кристалла в результате снизилось примерно на 40 процентов. Такое улучшение заметно повышает эффективность отвода тепла при высокой нагрузке чипа. Решение также обеспечивает стабильную работу устройства под нагрузкой.
По заявлению CXMT, спрос на энергоэффективную высокопроизводительную память продолжает расти. Память LPDDR6 представляет новейшее поколение таких решений на рынке. В будущем технология охватит смартфоны, компьютеры, автомобильную электронику и периферийные серверы. Список также дополнят носимые устройства и робототехника.
Успешный выпуск LPDDR6 стал важной вехой на пути компании к независимой разработке премиальной памяти. Продукт сейчас проходит этап ускоренной коммерциализации и масштабирования. Компания продолжит совершенствовать характеристики продукта и расширять линейку решений. CXMT также планирует сотрудничать с партнёрами по всей отрасли для внедрения LPDDR6 в новые сценарии применения.
