Несколько дней назад NVIDIA представила новую технологию NVHBM. Речь идёт о кастомизированной версии памяти HBM. Разработка расширяет экосистему NVLink Fusion для будущих чипов. Технология обещает более высокую производительность и эффективность памяти для процессоров XPU. Первым партнёром по разработке NVHBM стала компания Annapurna Labs. Она принадлежит Amazon и займётся созданием следующего поколения полузаказной ИИ-инфраструктуры.
По данным издания DigiTimes, к проекту подключилась и компания Samsung. Производитель работает над восьмислойной памятью HBM4E совместно с NVIDIA. Именно эта версия ляжет в основу технологии NVHBM. Скорость передачи данных составит от 17 до 18 гигабит в секунду. Если информация подтвердится, Samsung получит серьёзное преимущество в гонке. Речь идёт о конкуренции за заказные решения эпохи HBM4E.
В мае этого года Samsung уже анонсировала начало поставок. Компания начала отгружать первые в отрасли образцы 12-слойной HBM4E. Продукцию получили крупнейшие клиенты компании по всему миру. Чипы DRAM производятся по техпроцессу 1c нанометра. Речь идёт о шестом поколении 10-нанометрового класса технологий. Базовый чип при этом выполнен по 4-нанометровому процессу SF4. Начальная скорость передачи данных составляет 14 гигабит в секунду. Пропускная способность одного стека достигает внушительных 3,6 терабайта в секунду. Это более чем на 20 процентов выше показателя обычной HBM4. Двенадцатислойная конструкция обеспечивает ёмкость в 48 гигабайт. Показатель также вырос более чем на 30 процентов относительно предыдущего поколения.
Ранее Samsung уже подтверждала успешный прогресс проекта HBM4E. Компания обещала скорое появление продукта со скоростью 16 гигабит в секунду. Одновременно Samsung планировала предложить и другие конфигурации памяти. Речь шла о восьмислойном варианте на 32 гигабайта. Дополняла список шестнадцатислойная версия ёмкостью в 64 гигабайта. Судя по всему, тот самый восьмислойный вариант и предназначался именно для проекта NVIDIA.
Индустрия памяти HBM годами двигалась в сторону увеличения числа слоёв. Однако это вовсе не означает исчезновение спроса на компактные решения. Меньшее количество кристаллов DRAM повышает процент выхода годных чипов. Такой подход помогает снизить себестоимость производства памяти. Более простая конструкция также облегчает наращивание объёмов серийного выпуска.
