Тайваньская Nanya Technology запускает крупнейшую инвестиционную программу в своей истории. Совет директоров компании одобрил вложения до 346,6 млрд тайваньских долларов, или около $10,7 млрд, в строительство и оснащение предприятия Fab5A в 2026–2029 годах. Производственная площадка будет ориентирована на выпуск DRAM по техпроцессам класса 10 нм, включая узлы 1b, 1c, 1d и 1e, а также станет первой для компании, где планируется применение литографии EUV.
Одновременно Nanya увеличила бюджет капитальных расходов на 2026 год на 34% — до 69,7 млрд тайваньских долларов, или примерно $2,16 млрд. Дополнительные 17,7 млрд долларов направят на авансовые платежи за оборудование, чтобы не допустить задержек с реализацией проекта Fab5A.
Первые пластины на новом предприятии должны начать выпускаться во второй половине 2027 года. В 2028 году Nanya рассчитывает выйти на объем около 30 тыс. пластин в месяц, а в 2029-м — на 35,9 тыс. Максимальная проектная мощность Fab5A оценивается примерно в 45 тыс. пластин ежемесячно. Пилотное производство по техпроцессу 1c уже началось, тогда как разработка 1d продолжается и вскоре должна перейти к стадии опытного выпуска.
Общий объем инвестиций в Fab5A после завершения проекта оценивается примерно в $16 млрд. Средства будут выделяться поэтапно в зависимости от ситуации на рынке и реального спроса.
Расширение производства происходит на фоне заметного улучшения финансовых показателей Nanya. В июле выручка компании достигла 43,87 млрд тайваньских долларов, увеличившись на 49,3% по сравнению с июнем и сразу на 719,6% в годовом выражении. Одним из ключевых факторов роста стало продолжающееся повышение цен на DRAM, особенно на память DDR4.
Nanya также постепенно укрепляет долгосрочную базу заказов. По имеющимся данным, долгосрочные соглашения уже охватывают около половины производственных мощностей компании, а часть краткосрочных контрактов переводится в долгосрочный формат. Среди клиентов Nanya называются NVIDIA, Google, Microsoft, Intel, AMD и Qualcomm.
Инвестиции в Fab5A отражают более широкий рост спроса на память, связанный с развитием искусственного интеллекта и дата-центров. Компания рассчитывает, что потребность как в DRAM, так и в NAND будет сохраняться на высоком уровне в течение следующих нескольких лет. Для Nanya это создает возможность существенно увеличить производство и одновременно перейти к более современным технологическим нормам.
На фоне дефицита отдельных типов памяти и роста цен ставка на расширение мощностей может оказаться особенно важной. При этом Nanya не собирается вводить весь потенциал Fab5A одномоментно: строительство инфраструктуры будет опережать установку оборудования, а фактическое расширение производства планируется синхронизировать с изменением спроса. Такой подход позволит компании избежать избыточных капитальных затрат и быстрее наращивать выпуск в наиболее востребованных сегментах.
