Kioxia официально объявила о старте рассылки инженерных образцов своих новых флэш-чипов, выполненных по технологии BiCS FLASH 10-го поколения, и это событие знаменует собой важнейший технологический прорыв в гонке вертикальной компоновки. Речь идет о терабитных кристаллах типа Triple-Level Cell, которые в первую очередь лягут в основу твердотельных накопителей корпоративного класса и решений для дата-центров, призванных обслуживать стремительно растущий спрос на инфраструктуру искусственного интеллекта. Производство новинок налажено на новейшем оборудовании фабрики Kitakami Fab2 в японской префектуре Иватэ, что подчеркивает серьезность намерений компании по масштабированию технологии.
Главный козырь десятого поколения кроется в архитектурных инновациях, заложенных еще в восьмой итерации, но доведенных теперь до совершенства. Благодаря фирменной технологии CBA, позволяющей напрямую соединять CMOS-логику с массивом памяти, и селектору затвора OPS, инженерам удалось разогнать интерфейс NAND до впечатляющих 4,8 гигабит в секунду, что на треть превосходит показатели предшественника. Однако куда более значимым выглядит увеличение плотности записи данных. За счет послойного наращивания структуры до 332 уровней в сочетании с оптимизацией латеральной плотности общий прирост битовой емкости на единицу площади кристалла составил колоссальные 59%. В сухом остатке это означает, что на одном чипе теперь помещается гораздо больше данных без физического увеличения его размеров, что критически важно для современных U.2- и EDSFF-накопителей.
Применительно к реалиям эксплуатации серверных ферм, прогресс в энергоэффективности здесь не менее важен, чем сырая производительность. Цифры говорят сами за себя: энергопотребление при операциях записи снизилось на 18%, а при чтении показатель экономии достигает 30%. В контексте стоек, забитых сотнями накопителей, такая оптимизация напрямую конвертируется в снижение совокупной стоимости владения и уменьшение тепловыделения, что особенно актуально при работе с тяжелыми AI-нагрузками, где запросы на пропускную способность хранения упираются в жесткие лимиты мощности.
Интересно, что продвижение новой технологии происходит в рамках двуединой стратегии компании. Kioxia не списывает в утиль предыдущее поколение, справедливо полагая, что 9-я генерация BiCS FLASH остается идеальным продуктом для сценариев, где требуется высокая производительность при относительно скромных капитальных вложениях в переоснащение линий. Десятая же ревизия прицельно бьет в сегмент максимальных емкостей и экстремальных скоростей, где оправдано применение самого передового техпроцесса. Таким образом, вендор планомерно выстраивает фундамент для ответа на будущие требования индустрии, руководствуясь миссией возвышения мира с помощью памяти и продолжая инвестировать в инновации, без которых современная ИИ-инфраструктура просто не сможет существовать.
Об авторе
