Samsung продолжает двигаться к одной из самых амбициозных целей в индустрии памяти — созданию 1000-слойных NAND-чипов. Компания уже разработала технологию, которая позволит объединять два 450-слойных V-NAND-модуля в единый 900-слойный кристалл, открывая путь к следующему поколению сверхплотных накопителей.
Как сообщает южнокорейское издание ET News, Samsung использует собственную технологию Cell Multi-Bonding, или CMB. Речь идет о разновидности гибридного соединения пластин, при котором два кремниевых кристалла буквально объединяются в один при помощи металлических микросоединений. Такой подход позволяет преодолеть физические ограничения традиционного масштабирования NAND-памяти, где дальнейшее увеличение количества слоев в рамках одного монолитного кристалла становится все сложнее и дороже.
Фактически индустрия памяти вступает в новый этап развития. Если раньше производители просто наращивали количество вертикальных слоев внутри одного чипа, то теперь компании начинают использовать более сложные методы упаковки и многослойного соединения кристаллов. Именно это направление сегодня считается одним из главных способов дальнейшего роста емкости SSD и серверных систем хранения данных.
Samsung впервые представила 10-е поколение своей V-NAND-памяти в прошлом году. Тогда компания смогла превысить отметку в 400 слоев на одном чипе, а также впервые продемонстрировала использование гибридного соединения пластин. С тех пор технология заметно продвинулась вперед.
Одной из главных проблем при создании 900-слойной памяти стала деформация кремниевых пластин. Чем больше слоев содержит NAND-чип, тем сложнее сохранить идеальную геометрию кристалла при производстве. Особенно критично это при соединении двух уже очень толстых 450-слойных пластин.
Для решения этой проблемы Samsung разработала специальные микроскопические фиксаторы и новые методы выравнивания пластин, позволяющие минимизировать ошибки совмещения и смещения при соединении кристаллов. Кроме того, инженеры компании переработали внутреннюю структуру битовых и управляющих линий памяти, чтобы удержать энергопотребление и размеры чипов в разумных пределах.
Хотя массовое производство 900-слойной V-NAND пока еще не началось, Samsung уже активно готовит инфраструктуру для будущего запуска. На первом этапе компания сосредоточится на серийном выпуске 10-го поколения V-NAND с более чем 400 слоями, а затем перейдет к объединенным 900-слойным решениям.
Сейчас рекорд по количеству слоев в серийной NAND-памяти принадлежит SK hynix с ее 321-слойной 4D NAND. Однако Samsung явно намерена вернуть лидерство в этой гонке. Более того, компания уже открыто говорит о планах достичь рубежа в 1000 слоев к 2030 году.
Для рынка это означает появление еще более емких SSD, ускорение развития ИИ-инфраструктуры и дата-центров, а также дальнейшее снижение стоимости хранения данных в будущем. Чем выше плотность памяти, тем больше информации можно разместить в компактных устройствах без увеличения физического размера накопителей.
Ожидается, что в ближайшие месяцы Samsung раскроет дополнительные подробности о новых поколениях V-NAND и сроках выхода первых 900-слойных решений.
Об авторе
