Южнокорейская компания SK hynix объявила о разработке новой технологии охлаждения для высокоскоростной памяти HBM, которая должна стать одним из ключевых элементов будущих ИИ-ускорителей и дата-центров. Решение получило название iHBM и представляет собой новую архитектуру отвода тепла с интегрированными охлаждающими элементами внутри самого корпуса памяти.
Развитие искусственного интеллекта и рост вычислительных нагрузок заставляют производителей чипов искать новые способы борьбы с перегревом. Современные HBM-модули становятся все сложнее: количество слоев памяти увеличивается, пропускная способность растет, а вместе с ними резко повышается и плотность тепловыделения. Особенно критичной зоной сегодня считается интерфейс Die-to-Die Physical Layer, через который память HBM напрямую взаимодействует с GPU.
Именно этот участок стал главным объектом внимания инженеров SK hynix. В традиционных HBM-чипах тепло отводится косвенным способом — через центральный кристалл и внешние элементы охлаждения. В новой системе iHBM компания изменила саму конструкцию корпуса памяти: охлаждающие элементы ICE интегрированы непосредственно в область D2D PHY, где температура достигает максимальных значений.
Такой подход создает дополнительный канал рассеивания тепла и позволяет значительно повысить эффективность охлаждения. По данным SK hynix, новая технология снижает тепловое сопротивление примерно на 30%, благодаря чему память может стабильнее работать даже при экстремально высоких нагрузках, характерных для ИИ-серверов и HPC-систем.
Для индустрии это особенно важно на фоне стремительного роста мощности современных ускорителей искусственного интеллекта. Сегодня именно память HBM становится одним из главных ограничений при разработке новых GPU для нейросетей. Чем выше скорость передачи данных между памятью и вычислительным чипом, тем сложнее контролировать температуру внутри упаковки.
SK hynix также делает акцент на производственной стороне вопроса. Компания заявляет, что технология iHBM совместима с существующими решениями System-in-Package и не потребует радикальной переработки архитектуры ускорителей. Это позволит партнерам внедрять новую систему охлаждения с минимальными изменениями конструкции.
Дополнительным преимуществом должна стать собственная технология упаковки Wafer Level Packaging, основанная на процессе MR-MUF. Именно она, по словам компании, позволит наладить стабильное массовое производство новых HBM-модулей без существенного роста сложности сборки.
В SK hynix уже подтвердили, что iHBM станет частью следующего поколения памяти, включая будущие HBM5-чипы. Фактически речь идет о подготовке инфраструктуры для новой волны ИИ-систем, где требования к пропускной способности памяти и плотности вычислений продолжат расти рекордными темпами.
В компании уверены, что именно эффективное охлаждение станет одним из ключевых факторов конкурентоспособности на рынке AI-ускорителей в ближайшие годы. По словам руководителя направления разработки упаковки SK hynix Кан Ука Ли, iHBM объединяет опыт компании в проектировании памяти и передовых технологиях корпусирования, помогая создавать решения, способные выдерживать нагрузки следующего поколения искусственного интеллекта.

