Южнокорейское издание ZDNet Korea сообщило о ещё одном перспективном проекте Samsung Semiconductor, связанном с освоением 2-нм техпроцесса. По данным источников, подразделение компании, занимающееся разработкой памяти HBM, работает над созданием кастомных логических кристаллов, которые будут адаптироваться под конкретные требования заказчиков. Конкретные партнёры в публикации не называются, однако отмечается, что инженеры рассматривают использование самых передовых производственных норм, вплоть до 2 нм, для будущих поколений HBM. При этом пока не уточняется, идёт ли речь о фирменных техпроцессах Samsung Foundry SF2 или более продвинутом SF2P.
Текущее шестое поколение высокоскоростной памяти Samsung, известное как HBM4, по имеющейся информации, базируется на 4-нм техпроцессе, вероятно из семейства SF4. Анонимный представитель компании пояснил, что Samsung Electronics проектирует кастомные логические кристаллы для HBM под руководством недавно сформированной команды custom SoC в составе подразделения System LSI. Целью этого направления является формирование технологического портфеля в диапазоне от 4 до 2 нм, чтобы гибко отвечать на запросы различных клиентов.
В ZDNet также отмечают, что будущие ультрапроизводительные ИИ-ускорители будут всё сильнее зависеть от передовых модулей HBM, в том числе с логикой, выполненной по самым тонким нормам. Существенный спрос со стороны корпоративного сегмента ИИ ожидается после появления 2-нм логических кристаллов, вероятно уже после 2027 года, когда на рынок выйдет седьмое поколение памяти HBM4E.