Компания Innosilicon, известная своими высокопроизводительными решениями для памяти, начала поставки первых модулей LPDDR6, способных работать на впечатляющей скорости 14,4 Гбит/с. Это заметно выше, чем у первых LPDDR6-модулей Samsung с пропускной способностью 10,7 Гбит/с, и почти в полтора раза превышает возможности LPDDR5X, выпускавшейся ранее той же Innosilicon с максимальной скоростью 9,6 Гбит/с. Кроме того, новая память увеличивает число бит на байт ввода-вывода с 8 до 12, что при одноканальном подключении 24-битной шины обеспечивает удвоение пропускной способности по сравнению с 16-битной LPDDR5X.
Для обеспечения необходимого объёма производства Innosilicon налаживает совместное изготовление модулей с TSMC и Samsung, что должно гарантировать достаточные мощности для выпуска LPDDR6 IP. Данный шаг выделяет Innosilicon среди конкурентов — таких как Samsung, SK Hynix и Micron — которые также разрабатывают LPDDR6, но пока не спешат с массовыми поставками на раннем этапе жизненного цикла стандарта.
Примечательно, что спецификация JEDEC для LPDDR6 предусматривает работу на скорости до 14,4 Гбит/с на контакт, и Innosilicon заявляет, что сразу ориентировалась на достижение этого предела. Samsung же в ранних LPDDR6-модулях, изготовленных по 12-нм техпроцессу, реализовала скорость 10,7 Гбит/с, делая акцент на повышенной энергоэффективности, заявляя прирост КПД на 21% по сравнению с LPDDR5X.
Решение, чьи модули выберут клиенты, будет зависеть от комбинации скорости, энергоэффективности и доступности готовых решений. Появление LPDDR6 Innosilicon на рынке, с учётом её высокой пропускной способности и широких производственных мощностей, может значительно повлиять на выбор производителей мобильных устройств, ноутбуков и серверных систем.
Об авторе
