SK hynix представила свою самую продвинутую на сегодняшний день память с высокой пропускной способностью — 16-слойный стек HBM4 объёмом 48 ГБ, ориентированный на ускорители искусственного интеллекта и высокопроизводительные вычислительные системы, где критически важны и объём памяти, и пропускная способность. Это первый публичный показ решения, превосходящего ранее демонстрировавшийся 12-слойный вариант HBM4 объёмом 36 ГБ, работавший на скорости до 11,7 Гбит/с на контакт.
Точные характеристики нового 16-слойного модуля компания пока не раскрывает, однако сам факт увеличения числа слоёв DRAM позволяет предположить дальнейший рост пропускной способности по сравнению с предыдущей версией. Сдержанность в деталях выглядит осознанной: на фоне активной конкуренции со стороны Micron и Samsung, которые также дорабатывают свои решения HBM4 перед массовыми поставками для таких клиентов, как AMD и NVIDIA, SK hynix оставляет себе пространство для манёвра по частотам и параметрам в финальной версии продукта.
Помимо классической HBM4, SK hynix также продемонстрировала концепцию так называемой cHBM — памяти с кастомным базовым кристаллом. В этом подходе нижний слой стека DRAM включает в себя элементы логики, которые традиционно размещаются на кристалле GPU или специализированного ускорителя. Речь идёт, в частности, о контроллерах памяти, PHY-интерфейсах HBM и других компонентах, которые обычно занимают ценную площадь на вычислительном чипе.
Перенос этой логики в базовый кристалл HBM открывает возможность освободить место на основном GPU или ASIC под дополнительные вычислительные блоки, повышая плотность и общую производительность ускорителя. В демонстрационных материалах SK hynix показала варианты реализации с межкристальными PHY, встроенными контроллерами памяти и другими функциональными блоками. Более того, заказчики могут настраивать состав логики под свои задачи и даже интегрировать элементы вычислений непосредственно в базовый кристалл памяти.
Такие разработки подчёркивают, что HBM следующего поколения всё больше превращается из «просто памяти» в активный элемент архитектуры ускорителей ИИ и HPC. Для индустрии это означает переход к более тесной интеграции памяти и вычислений, где каждый квадратный миллиметр кремния используется максимально эффективно.
