На проходящем в Сеуле Korea Tech Festival 2025 компания Samsung получила президентскую медаль за свои передовые модули памяти GDDR7 с пропускной способностью 40 Гбит/с. Новые чипы построены на 12-нм (класс 10 нм) DRAM-технологии и имеют ёмкость 3 ГБ (24 Гбит), что делает их одним из самых быстрых решений для будущих графических карт. Ранее Samsung представила образцы GDDR7 с 36 Гбит/с, а сейчас тестирует версии с ещё более высокой скоростью — 40 Гбит/с. Помимо этого, компания уже массово производит 3 ГБ модули на 28 Гбит/с, которые, по всей вероятности, предназначены для предстоящего среднесерийного обновления NVIDIA GeForce RTX 50 Super.
Новые 3 ГБ модули встречаются крайне редко, поэтому подтверждение их массового производства, особенно с высокими скоростями передачи данных, является важным шагом к расширению доступных вариантов быстродействующей VRAM. При этом для успешного внедрения таких решений на рынке производителям необходимо накопить достаточные запасы чипов, так как одного этапа тестирования недостаточно для полноценного выпуска продукта.
Конкуренты Samsung также не отстают: SK Hynix готовится представить на ISSCC 2026 свой новый 24-Гбит GDDR7 чип с пропускной способностью 48 Гбит/с. Использование симметричной двухканальной архитектуры и усовершенствованных внутренних интерфейсов позволяет увеличить скорость передачи данных более чем на 70% по сравнению с текущими модулями на 28 Гбит/с, доведя пропускную способность с 112 до 192 ГБ/с на чип. Развитие GDDR7 демонстрирует растущие требования отрасли к высокой пропускной способности в компактных 3 ГБ модулях памяти, и производители активно конкурируют за лидерство в этом сегменте.