В то время как мировые доходы от NAND-памяти, по прогнозам, вырастут до $93.7 млрд к 2029 году, компания Samsung представила фундаментальное технологическое решение, которое может радикально изменить архитектуру и энергопотребление флеш-памяти.
В статье, опубликованной в научном журнале Nature, команда из 34 инженеров Института передовых технологий Samsung (SAIT) и Центра исследований и разработок полупроводников описала, как сочетание ферроэлектрических материалов с оксидными полупроводниками позволяет снизить энергопотребление при операциях на уровне стрингов (чтение/запись данных) на невероятные 96%.
Борьба с ростом этажей
Современные технологии NAND-памяти постоянно наращивают количество слоев для увеличения плотности хранения данных. Однако этот процесс усугубляет проблему: чем выше «стек» ячеек, тем длиннее путь прохождения сигналов, что ведет к экспоненциальному росту энергопотребления при чтении и записи.
Решение Samsung использует уникальные электрические характеристики оксидных полупроводников. В то время как ранее их ограниченный контроль порогового напряжения считался недостатком, в данной конструкции это свойство помогает существенно снизить мощность переключения. Таким образом, инженеры показали, как можно достичь значительного снижения энергопотребления без ущерба для емкости, поддерживая даже сверхплотные конфигурации до 5 бит на ячейку.
Стратегический парадокс
В случае вывода этой технологии на рынок она способна резко снизить энергопотребление центров обработки данных и значительно увеличить время автономной работы мобильных устройств и периферийных ИИ-систем (edge-AI).
Однако этот технологический прорыв происходит на фоне растущей осторожности Samsung по отношению к самому рынку NAND. На прошлой неделе появились сообщения о планах компании переоборудовать часть своих NAND-линий на заводах в Пхёнтхэке и Хвасоне под производство DRAM, а также запустить свой новый завод Fab 4 (P4) исключительно как линию по производству DRAM. Отраслевые источники связывают это с падением спроса на NAND и резким ростом цен и спроса на стандартную оперативную память.
Об авторе
