Компания SK hynix Inc. объявила о беспрецедентном финансовом успехе в третьем квартале, зафиксировав самую высокую квартальную производительность за всю свою историю. Выручка компании составила впечатляющие 24,4489 триллиона вон, при этом операционная прибыль достигла 11,3834 триллиона вон с маржой в 47%. Впервые операционная прибыль компании преодолела отметку в 10 триллионов вон, что является знаковым событием для всей полупроводниковой индустрии.
Этот феноменальный рост стал прямым следствием двух мощных факторов: полномасштабного роста цен на DRAM и NAND, а также взрывного увеличения поставок высокопроизводительной памяти, незаменимой для современных серверов искусственного интеллекта.
ИИ-Инфраструктура Как Двигатель Роста
Спрос на память буквально взлетел благодаря активным инвестициям клиентов в ИИ-инфраструктуру. SK hynix превзошла свой собственный рекорд предыдущего квартала благодаря стратегическому фокусу на высокодоходных продуктах. Речь идет о 12-слойной HBM3E и высокоемких модулях DDR5 для серверов. Компания отметила, что поставки DDR5 емкостью 128 ГБ и более для ИИ-серверов удвоились по сравнению с предыдущим кварталом. Даже в сегменте NAND значительно выросла доля серверных накопителей eSSD для ИИ, которые, как известно, продаются с ценовой премией.
Благодаря столь сильным результатам, финансовое положение компании значительно укрепилось: объем денежных средств и их эквивалентов вырос на 10,9 триллиона вон, достигнув 27,9 триллиона вон, что позволило SK hynix перейти в положительное чистое финансовое положение.
Стратегия на Будущее: От HBM до Общих Серверов
Будущее рынка памяти компания видит в неизбежном распространении вычислительных нагрузок ИИ-серверов на более широкую инфраструктуру, включая обычные серверы. Этот тренд, подкрепленный стратегическими партнерствами с крупнейшими мировыми ИИ-игроками, обещает сбалансированный рост спроса не только на лидирующую память HBM, но и на весь портфель продуктов, включая память для обычных серверов.
SK hynix уже демонстрирует готовность к этому скачку. Компания планирует ускорить переход на самый передовой технологический процесс 1cnm (шестое поколение 10-нанометровой технологии) для DRAM, а в сегменте NAND — нарастить выпуск продукции на базе передовой в мире 321-слойной технологии TLC и QLC.
Финансовый директор Ким Ухён подчеркнул: «Благодаря инновациям в технологии ИИ, рынок памяти перешел к новой парадигме, и спрос начал распространяться на все области продуктов. Мы продолжим укреплять наше лидерство в области ИИ-памяти».
Более того, компания уже согласовала с ключевыми клиентами полный объем поставок HBM на следующий год. А в четвертом квартале начнутся отгрузки новейшей памяти HBM4, которая полностью соответствует требованиям клиентов по производительности и скоростям. Для удовлетворения спроса, который оказался выше ожидаемого, SK hynix уже начала установку оборудования в новом чистом помещении M15X и планирует увеличить инвестиции в следующем году.