Samsung возрождает Z-NAND: сверхбыстрая память для эры искусственного интеллекта?

Samsung возрождает Z-NAND: сверхбыстрая память для эры искусственного интеллекта?

Компания Samsung готовится к возвращению на рынок своей высокопроизводительной флеш-памяти Z-NAND. На этот раз она позиционируется как идеальное решение для рабочих нагрузок, связанных с искусственным интеллектом, которые страдают от разрыва в скорости между оперативной памятью и постоянным хранилищем. По заявлению компании, новая Z-NAND способна обеспечить пиковую производительность, которая до 15 раз выше, чем у обычной NAND-памяти, при этом снижая энергопотребление на целых 80%.

Особенно интригующим стало объявление о механизме прямого доступа к Z-NAND для GPU и других ИИ-ускорителей. Эта концепция, хоть и напоминает технологию DirectStorage из мира видеоигр, разработана специально для быстрой передачи массивных моделей и данных между ускорителем и постоянным накопителем. Если эти обещания будут воплощены в реальных системах, это позволит создать уровень хранения, который по скорости будет приближаться к быстрой оперативной памяти, что станет настоящим прорывом для некоторых задач в сфере ИИ.

Однако к громким заявлениям Samsung пока есть вопросы. Компания не предоставила подробных бенчмарков и четких определений используемых метрик производительности. Исторически Z-NAND всегда отличалась низкими задержками и высоким количеством операций ввода-вывода в секунду (IOPS), но при этом имела низкую плотность хранения, что делало её производство дорогим и мешало массовому внедрению. Схожие проблемы были и у технологии 3D XPoint от Intel, которая, несмотря на свои достоинства, в итоге была снята с производства.

Пока Samsung делает ставку на Z-NAND, конкуренты не стоят на месте. Например, Kioxia продвигает свою технологию XL-FLASH, ориентированную на сверхвысокий показатель IOPS, а другие участники рынка работают над стандартами вроде High Bandwidth Flash для увеличения пропускной способности.

Тем не менее, сейчас, в эпоху бурного развития ИИ, спрос на сверхбыстрые накопители высок как никогда. Это делает момент для возвращения Z-NAND весьма благоприятным. Но реальный успех будет зависеть от практических результатов, а не от маркетинговых обещаний. Если Samsung сможет предоставить убедительные данные, а также обеспечить конкурентоспособную цену и широкую поддержку в экосистеме, Z-NAND вполне может занять свою нишу в инфраструктуре для ИИ.